<p>除了硅，还有结合了第III组和第V组元素以及第II组和第VI组元素的化合物半导体。例如，GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、InGaAlP（磷化铝镓铟）等通常用于高频器件和光学器件。</p>

<p>近年来，InGaN（氮化铟镓）作为蓝光LED和激光二极管的材料引起了人们的广泛关注，SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为功率半导体材料也得到了一定程度上的关注和商业化。</p>

<p>说明：要理解倍压电路，首先要将充电后的电容看作一个电源。可以和供电电源串联，就像普通的电池串联的原理一样。</p>

<p>实际使用中，电源的来源从来都不理想。构建可靠的电力系统需要考虑包括寄生在内的实际行为。在使用电源时，我们要确保开关稳压器等DC-DC转换器能够承受一定的输入电压范围，并能以足够的电流产生所需的输出电压。输入电压经常指定为一个范围，因为通常无法精确调节。但是，为了使电源可靠地工作，输入电压必须始终在开关稳压器允许的范围内。</p>

<p>例如，12 V电源电压的典型输入电压范围为8 V至16 V。图1所示为从12 V标称电压产生3.3 V电压的降压型转换器（降压拓扑）。</p>

<p>​​在开关电源电路中，MOSFET作为最核心的器件，却也是最容易发热烧毁的，那么MOSFET到底承受了什么导致发热呢？本文来带你具体分析。</p>

<p><strong>MOSFET工作原理</strong><br />
什么是MOSFET？MOSFET是全称为Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管的半导体。</p>

<p><em>MLX75026 搭载全集成红外滤波器，可改善系统杂散光性能</em></p>

<p><em>TO-5封装的单通道和双通道探测器为CO2传感器提供卓越的性能、质量和寿命</em></p>

<p>瑞萨电子集团（TSE：6723）今日宣布，扩展环境传感器产品阵容，推出首个基于热电堆的探测器产品家族，该探测器集成了用于光学（NDIR）CO2传感器的光学滤波器。四款全新单通道和双通道CO2气体模拟探测器均采用TO-5封装，具有卓越的性能、质量和使用寿命，使其成为在高温操作条件下要求高可靠性、高精度的各类工业、医疗及物联网应用的理想选择。</p>

<p>伟创力电源模块（Flex Power Modules）现已发布非隔离式开关电容中间总线转换器（IBC）BMR310，这款产品可为数据中心应用提供高功率密度的产品，从而改善电路板空间利用率并为其他元器件释放空间。</p>

<p>BMR310基于英飞凌科技专有的零电压开关式开关电容转换器（ZSC）技术制造，在半载情况下可实现98%以上的效率，产品封装小，并且可连续提供高达875W的输出功率。其可在40V至60V的输入电压范围内工作，而得到10V至15V的未稳压输出电压。</p>

<p>TDK集团针对噪声抑制应用推出新的爱普科斯(EPCOS) 超紧凑型X2电容器，额定工作电压为 275 V AC，容值范围为33 nF ~ 1 µF。且各型号具有不同的引线间距，分别为 10 mm (B32921X* / Y*)、15 mm (B32922X* / Y*) 和 22.5 mm (B32923X* / Y*)，具体视容值而定。新元件的一大亮点是超紧凑的尺寸，仅为4.0 × 9.0 × 13.0 mm (33 nF) ~ 10.5 × 16.5 × 26.5 mm (1 µF)，具体同样取决于容值。该型电容器通过UL、EN和IEC 60384-14:2013标准认证，采用阻燃等级为UL 94 V-0的外壳和灌封材料，最高工作温度可达110 °C。</p>

<p><em>非常适合需要快速接通的工业、楼宇自动化、物联网和其他大功率电子应用</em></p>

<p>碳化硅（SiC）是一种宽带隙半导体，其带隙宽度为3.26eV，远高于硅（Si）的带隙宽度（=1.12eV）。SiC具有较高的击穿电场和较高的热导率，这是由于它具有较低的晶格常数（即较短的原子间距离）从而具有较高的原子键。</p>

<p data-navititle="Si和SiC的物理性质比较 "><strong>Si和SiC的物理性质比较</strong></p>

<ul>
<li>实现了与标准产品相当的低电阻，树脂层仅覆盖端子电极的一部分</li>
<li>新3216尺寸产品的电容为10㎌，3225尺寸产品的电容为22㎌</li>
<li>符合AEC-Q200标准</li>
</ul>

<p>TDK株式会社（TSE:6762）扩展了其CN系列积层陶瓷贴片电容器（MLCC）产品阵容，这是同类产品中的首款产品。新3216尺寸产品（3.2 x 1.6 x 1.6 ㎜）的电容为10 μF，3225尺寸（3.2 x 2.5 x 2.5 ㎜）的电容为22 ㎌，提供了低电阻树脂电极，具有与标准产品相当的低端子电阻。新产品将于2021年9月开始量产。</p>

<p><em>作者：英飞凌科技功率半导体和系统工程部杰出工程师Gerald Deboy 博士</em></p>

<p>&nbsp;XP Power正式宣布推出稳压输出外壳AC-DC电源LCW系列，是嵌入式工业电子、技术和需要家庭认证的设备的理想选择。九个新系列（LCW15、LCW25、LCW35、LCW50、LCW75、LCW100、LCW150、LCW200和LCW320）的功率水平从15W到320W不等。所有模块均符合EN 55032 B级传导和辐射标准，便于低成本集成，并配有集成连接器盖，以提高安装后的安全性。</p>

<p>LCW系列的输入电压范围为85至305VAC，满足全球监管要求，适用于100VAC至277VAC的额定输入，150W、200W和320W模块具有主动PFC功能。应用范围包括辅助电源、安全装置、照明控制、智能家居或办公系统，以及票务和自动售货机。</p>

<p><em>精密电阻采用1206和2512两种外形尺寸，TCR低至± 25 ppm/°C，精度为± 0.1 %</em></p>

<p>株式会社村田制作所完成对Eta Wireless, Inc.公司的收购。Eta Wireless拥有削减功耗的“Digital ET技术”，该技术是最优化RF电路的电压并削减功耗的特有电力控制技术，用于与终端收发信号功能相关的RF电路。</p>

<p>近年来，随着移动终端的IC的高性能化和多功能化发展，终端机性能也在不断提高，削减终端机的功耗越显重要。在各电子元器件的开发当中，以往为削减功耗而进行的硬件精细制作及模拟手法也遇到了新的问题，即针对5G以及下一代的6G等宽带信号，其改善效果有限。</p>

<p id="sub-headline-text"><em>新款&nbsp;Topaz&nbsp;传感器是移动应用的理想选择，价格非常有吸引力，性能却没有打折扣。</em></p>

<p>p型半导体是指掺杂了硼（B）或铟（In）的本征半导体。第IV组的硅有四个价电子，第III组的硼有三个价电子。如果将少量硼掺杂到硅单晶中，在某个位置上的价电子将不足以使硅和硼键合，从而产生了缺少电子的空穴*。在这种状态下施加电压时，相邻的电子移动到空穴中，使得电子所在的地方变成一个新的空穴，这些空穴看起来就像按顺序移动到“–”电极一样。</p>

<p>Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 推出 <a href="https://www.diodes.com/part/AP22653Q">AP22653Q</a&gt; 可编程限流电源切换器。这款符合汽车规格的装置简化电源系统设计，同时确保经久耐用，提供受控与保护的电源路径。其额定连续负载电流高达 1.5A。主要产品应用有保护车辆 USB 端口及 ECU 供电轨，以及信息娱乐和远程通讯子系统。</p>

<p>UnitedSiC（联合碳化硅）公司，现已发布业界最佳的750V、6mΩ器件，从而响应了电源设计人员对更高性能、更高效率的SiC FET的需求。这款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET竞争产品的一半，并且还提供了鲁棒的5μs额定短路耐受时间。今天所发布的产品包括750V SiC FET系列中的9种新器件/封装选项，额定值为6、9、11、23、33和44mΩ。所有器件均有采用TO-247-4L封装的方案，同时18、23、33、44和60mΩ器件还提供了采用TO-247-3L封装的方案。这一750V扩展系列与现有的18和60mΩ器件相辅相成，其为设计人员提供了更多的器件方案，实现了更大的设计灵活性，因此可实现最佳的性价比权衡，同时保持充足的设计裕度和电路鲁棒性。</p>

<p>输入偏置电压是指有差分输入电路的运算放大器或比较器带有的误差电压。理想运算放大器或比较器的偏置电压为0V。</p>

<p>给运算放大器或比较器的输入引脚输入同相（相同）电压时，理想运算放大器不会输出偏置电压，但存在输入偏置电压时，就会输出与输入偏置电压相应的输出电压。</p>

<p>将该输出电压控制为0V所需的输入引脚间的电压差被称为输入偏置电压，该值为输入换算值。</p>

<p>作为输入换算表示的优点是，由于运算放大器、比较器可在各种放大率或电路结构中使用，若作为输入换算电压表示，那么就可以轻松地估量其对输出电压的影响。</p>

<p>偏置电压的单位一般表示为[mV]或[µV]。</p>