啸叫是指听到来自PCB板的类似“叽”或“吱”声音的现象。例如，听说有的便携设备用的廉价充电器发出相当大的啸叫音。

新IC的效率高达98.3%，在无需散热片的情况下可提供高达240W的输出功率，并可实现优于0.98的功率因数。

新系列元件尺寸紧凑，仅为12.7 x 15.8 x 11.5 mm（宽x长x高），具有-55 °C至+165 °C的宽泛工作温度范围，满足RoHS指令要求并获得AEC-Q200标准认证。

PE42545 单刀四掷开关采用倒装芯片形式，最高可支持67 GHz，PE42525 单刀双掷开关最高可支持60 GHz。PE42546 单刀四掷开关采用小型3 x 3mm LGA 封装设计，最高可支持45 GHz频率。

DZDH0401DW 控制器驱动 P 信道 MOSFET 来仿真理想二极管，在高达 40V 的系统中提供阻断反向电流所需的高侧导轨绝缘。

目前，可穿戴智能手表手环产品用户所关心的众多问题中，电池续航问题排在所有问题的首位，功耗是一个系统级的问题。为了更好的满足可穿戴产品超低功耗的需求，微源半导体近期发布了一款专门针对可穿戴设备低功耗应用需求的LDO – LP3991。

这两款器件均采用超薄的InSOP™-24封装。相较于分立方案设计，这种高集成度的高效架构无需使用散热片，并且可减少高达40%的元件数量。

3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD）扩大了设计人员对交通、能源和工业系统中的高压电力电子产品的选择范围

近日，安富利发布了一项针对全球工程师的调查，以调查工程师如何应对全球芯片短缺、更长的交货时间以及工程师的设计选款和应用，发生哪些改变。

该系列模块特别适用于恶劣的电气环境如EV充电器，具有OVC III过压等级，可在海拔2000m运行，工作温度范围为-40至+90°C。

新型µPOL直流-直流转换器系列可在-40 ℃~125 ℃的宽结温范围内运行，并具有每立方英寸1000 A以上的高电流密度。

关于IGBT／MOSFET预驱动器，相信做电机驱动或者大功率设备驱动的工程师都会有所了解，所谓预驱动器，其实就是将微控制器与IGBT／MOSFET隔离开来，为负载及驱动器提供保护

本章将深入探讨氮化镓 (GaN) 技术 ：其属性、优点、不同制造工艺以及最新进展。这种更深入的探讨有助于我们了解 ：为什么 GaN 能够在当今这个技术驱动的环境下发挥越来越重要的作用。

为了精准聚焦工业测量领域，公司推出高可靠性、低功耗Sigma-Delta ADC CS1238DME芯片，通过可编程增益放大器（PGA），有效分辨率可达20.7位（PGA=128），增益误差8ppm。

没有比这更真实的词了——这也是我们从一开始就坚持的，推动 Matter 标准前进的方式。汇集大量最聪明、最优秀的人才，以一种我们行业前所未见的方式和动力来构建一些东西。

本文针对QC／T-1067-2017标准带来全面解析。

对于边缘网络应用，老化、预热时间和功耗等附加参数对整体性能非常重要。SiTime新推出的Elite X的性能优于传统时钟器件，简化了系统设计，能够提供更可靠、一致的性能。

Teledyne e2v的DDR4s存储容量为4G字节，尺寸仅为15mm x 20mm x 1.92mm，其存储密度远高于竞争对手的解决方案——仅占PCB基板面的一半，体积几乎减少了一个数量级。

多功能产品组合覆盖  24-40GHz  频段，展示了集成模块、分立波束成形及升降频转换器射频集成电路（RFIC）等技术

PUC-D2BG系列具有6kVDC隔离电压，以及适用于250VAC工作电压并通过IEC/EN/UL 62368-1安全认证的增强绝缘