根据Gartner的最新预测，用于执行人工智能（AI）工作负载的半导体将在2023年为半导体行业带来534亿美元的收入，比2022年增长20.9%

Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%，该参数是650 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）。

Qorvo的SiC FET技术用于采用TO-Leadless（TOLL）封装的750V器件开发，并扩大了其领先优势。那么，如此小巧的TOLL封装能带来什么？

VGA(Video Graphics Array)即视频图形阵列，具有分辨率高、显示速率快、颜色丰富等优点

在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，功耗降低10%，且无需硅通孔(TSV)工艺即可生产128GB内存模组

反激隔离式变压器开关电源，首先其是反激式，符合“反激”的定义，即：反激是开关管截止时，传输能量

与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%，关断损耗降低了约34%

器件配置内部设计的新型IC，以引脚兼容方式替换前代解决方案，功耗降低50 %，同时改善性能

该传感器内部集成了磁场反馈线圈和信号调理电路，可实现10 pT/√Hz@1Hz的低噪声，以及0.05%级线性度、40 PPM级灵敏度温度漂移、500 kHz级带宽，可实现对微弱磁场的高精度快速实时测量

CSC2E101是一款主要服务商用级PC市场的32位高性能笔记本电脑EC，具备高性能、高安全、易开发三大特性，针对高端商用市场设计开发

“破风8676”芯片是国内首款基于可重构架构设计，可广泛商业应用于5G云基站、皮基站、家庭基站等5G网络核心设备中的关键芯片

GCINE3243采用了先进的混合堆栈背照式（hybrid stacking BSI)工艺，在保证高量子效率前提下实现了8K超高分辨率下更快的读出速度。

村田官网陶瓷电容器产品页面最近介绍了新包装方式提案，建议针对0201, 0402, 0603 inch 尺寸使用小间距环保胶带

据Yole预测，预计到 2028 年，功率 GAN 市场将占电力电子市场的 6% 以上。其中，消费类快速充电器和适配器仍然是 Power GaN 的主要驱动力

该系统应用了黑芝麻智能华山®二号A1000系列自动驾驶计算芯片

能源互联网这一概念兴起于2010年前后，是指在传统能源系统中增加互联网技术，整合能源数据，实现规模电力消耗预测，优化电网运行以节省能耗

新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用

BL370X为工业级应用产品，工作温度范围-40℃至+125℃，可广泛使用于电机控制、家用电器控制面板、电池管理系统、手持式测试设备、工业自动化、以及光伏逆变等行业。

FSPI是一种灵活的串行接口控制器，RK3588芯片中有1个FSPI控制器，可用来连接FSPI设备。

本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及在设计应用中注意事项