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一、三极管和MOSFET器件选型原则 1、三极管及MOSFET分类简介 类型 类型细分

1. 电感和电感器 电感（inductor）是一个绕在磁性材料上的导线线圈（coil），电感通以电流时产生磁场（magnetic field），磁场很懒，不喜欢变化，结果呢，电感就成为阻碍其电流（current）变化的元件。 如果流过电感的电流恒定，电感就很高兴，不用对电子流出任何力（force），此时的电感线圈就是普通导线。 如果我们想中断电感中的电流，电感就会出力（电动势，EMF），... 阅读详情

在一般的隔离电源中，光耦隔离反馈是一种简单、低成本的方式。但对于光耦反馈的各种连接方式及其区别，目前尚未见到比较深入的研究。而且在很多场合下，由于对光耦的工作原理理解不够深入，光耦接法混乱，往往导致电路不能正常工作。本研究将详细分析光耦工作原理，并针对光耦反馈的几种典型接法加以对比研究。 1、典型接法及其工作原理 常用于反馈的光耦型号有TLP521、PC817等。这里以TLP521为例，... 阅读详情

作者： Digi-Key 工程师 Kaleb Kohlhase 近期我发布了一篇关于射频术语简介的文章并决定举例说明其中的一个术语：带宽。在线研究时，这一主题可能会特别令人困惑，因为如果无法通过复杂的示波器设置来查看波形，就无法看到其效果，那么这个术语也就没有意义了。本文旨在说明基础频率滤波器的工作原理，进而衍生到较为复杂的设计，但并不涉及复杂的数学知识。 这是我的Maker.io帖子，... 阅读详情

MOSFET工作（启动）时，漏极和源极间的阻值称为导通电阻 （RDS(ON)）。数值越小，工作时的损耗（功率损耗）越小。 关于导通电阻的电气特性 晶体管的消耗功率用集电极饱和电压 （VCE(sat)） 乘以集电极电流（IC）表示。 （集电极损耗PC））＝（集电极饱和电压VCE(sat) ）x（集电极电流IC） MOSFET的消耗功率是用漏极源极间导通电阻 （RDS(ON)） 计算。... 阅读详情

作者：蒋修国，来源于信号完整性  一、射频连接器的分类 射频连接器（射频同轴连接器）是一种电连接器，其一般与同轴线缆一起配合使用。射频连接器的屏蔽效能一般都比较好。所以射频连接器在射频产品和数字电路中越来越多的被应用。但是射频同轴连接器的类型非常多，很多时候很容易混淆。射频同轴连接器的型号由主名称代号和结构代号两部分组成，中间用短划线“-”隔开。具体产品不同结构的命名由详细规范规定。... 阅读详情

电容降压的工作原理并不复杂。阻容降压的工作原理是利用电容在一定的交流信号频率下产生的容抗来限制最大工作电流。同时在电容器上串联一个阻性元件，则阻性元件两端所得到的电压和它所产生的功耗完全取决于这个阻性元件的特性。 因此，电容降压实际上是利用容抗限流，而电容器实际上起到一个限制电流和动态分配电容器和负载两端电压的角色。 例如，在50Hz的工频条件下，一个1uF的电容所产生的容抗约为3180欧姆。... 阅读详情