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在高频领域，信号或电磁波必须沿着具有均匀特征阻抗的传输路径传播。一旦阻抗失配或不连续现象，一部分信号被反射回发送端，剩余部分电磁波将继续被传输到接收端。 信号反射和衰减的程度取决于阻抗不连续的程度。当失配阻抗幅度增加时，更大部分的信号会被反射，接收端观察到的信号衰减或劣化也就更多。 阻抗失配现象在交流耦合(又称隔直)电容的SMT焊盘、板到板连接器以及电缆到板连接器(如SMA)处经常会遇到。... 阅读详情

结点温度的计算方法1：根据周围温度（基本） 结点温度（或通道温度）可根据周围温度和功耗计算。根据热电阻的思考方法， *Rth(j-a)：结点-环境间的热电阻根据贴装的电路板的不同而不同。 向敝公司标准的电路板上贴装时的值表示为 "代表性封装的电阻值" 。 Rth(j-a)的值根据各个晶体管的不同而不同，但如果封装相同，可以认为该值几乎是很接近的值。 **功耗不固定，... 阅读详情

上篇解释英飞凌IGBT模块命名规则的文章：英飞凌IGBT模块命名规则。我司作为IGBT大厂，除了种类繁多的模块型号，还有单管型号也是数不胜数。好在单管封装没有那么多复杂的拓扑，封装形式也有限。因此IGBT单管的命名规则相对简洁一些。 IGBT单管以时间为界，有两套体系 对于2013年3月份之前release的器件，命名规则如下图。主要传达的信息有：芯片种类（是否有续流二极管）+封装形式+电流等级... 阅读详情

SBD是由半导体与金属的接合形成的单极器件。原则上，SBD没有反向恢复时间，不像使用pn结二极管会引起问题。因此，SBD有助于大幅度降低关断时的开关损耗。 因为传导是由空穴和电子引起的，所以pn结二极管是双极的。pn结二极管具有反向恢复时间，因为在关断期间少数载流子（p层中的电子和n层中的空穴）会保留在结处。相反，单极的SBD没有反向恢复时间。但由于金属和半导体接合处的耗尽区具有电容，... 阅读详情

器件缓冲似乎是处理开关过冲、振铃和损耗的一种“野蛮”解决方案，而这对于诸如IGBT之类较老的技术来说确实如此。但是，宽禁带器件，尤其是SiC FET，可以将该技术用为栅极电阻调谐的优良替代方案，以提供较低的总损耗。 在这个宽禁带半导体开关的新时代，器件的类型选择包括SiC MOSFET和GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），它们都有自己特性并都声称拥有最佳的性能。但是，这两种都还不是理想的开关，... 阅读详情

作者： Digi-Key 工程师 Barley Li 固态继电器 只需要很小的功率就能工作，所以即使是很小的感应噪声也足以导致系统故障。为了避免电感噪声，在电路板布局中注意选择正确的电线并合理安排布线路径是很重要的。 1. 电线选择 请勿将电源线放置在输入线旁边，因为这容易导致感应噪声，从而影响固态继电器。如果感应噪声出自固态继电器的输入端，可以使用以下电缆予以解决。 使用双绞电线：... 阅读详情