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如何正确地布设运算放大器

电路设计过程中，应用工程师往往会忽视印刷电路板(PCB)的布局。通常遇到的问题是，电路的原理图是正确的，但并不起作用，或仅以低性能运行。那如何正确地布设运算放大器的电路板以确保其功能、性能和稳健性呢？事件重现工程师与自己的实习生利用增益为2V/V、负荷为10k、电源电压为+/-15V的非反相配置OPA191运算放大器进行设计。图1所示为该设计的原理图。图1... 阅读详情

2021-09-02 |

如何计算安规电容漏电流?

漏电流是一个重要的电容的参数，以安规电容Vishay的 VJ2220Y472KXUSTX1 为例。虽然数据手册没有直接给出漏电流的大小，不过如果数据手册中规定了行业标准绝缘电阻IR，我们仍然可以通过IR计算漏电流。IR是电容在额定电压下的最小电阻值。对于这个4700 pF值电容，IR最小值为100G欧姆(在 +25 °C)。漏电流最大值可从测试电压和绝缘电阻关系中得出，漏电流最大值=电压/...

2021-08-31 |

运算放大器、比较器的电路结构

运算放大器的电路结构运算放大器的内部电路结构如下所示。一般由输入段、增益段、输出段等3段电路构成。输入段由差分放大段构成，用于放大两个引脚间的电压差。另外，同相信号成分（引脚间无电位差，输入相等电压的状态）不放大，起抵消作用。若仅靠该差分放大电路，则增益不足，因此使用增益段进一步增加运算放大器的开放增益。普通运算放大器的增益段间连接了防振相位补偿电容。... 阅读详情

2021-08-31 |

许多设计中都需要半导体脚端弯曲。本博客讨论为实现可靠结果需要避免的错误和遵守的建议。我们在实验室做过实验，一个穿孔功率晶体管需要脚端弯曲以插入试验电路板，而我们使用钳子来实现弯曲。我们及时重新连接了ESD腕带，紧盯钳角，然后进行弯曲。弯曲后的奇怪交错间距导致无法插入，所以我们将针脚弄直，然后重试。这次，我们用钳子夹住针脚，利用一个“经过校准”的拇指位置来掰弯针脚。这次看起来好一些，但是之后，... 阅读详情

2021-08-31 |

负压脉冲高？教你3招制伏

随着5G通信与新能源车的普及，人们对高效率电源的需求越来越多。而提升电源转换效率的关键因素就在于开关电源中的功率部分。许多高性能、高频率的PWM控制芯片，无论是数字类型还是模拟类型，都不具备或只有有限的直接驱动功率MOSFET的能力。因为功率MOSFET对栅极驱动电流有较高的要求，驱动芯片就相当于PWM开关控制芯片与功率MOSFET之间的桥梁，用来将开关信号电流和电压放大，... 阅读详情

2021-08-30 |

在正确的比较中了解SiC FET导通电阻随温度产生的变化

比较SiC开关的数据资料并非易事。由于导通电阻的温度系数较低，SiC MOSFET似乎占据了优势，但是这一指标也代表着与UnitedSiC FET相比，它的潜在损耗较高，整体效率低。谚语说：“不怕低，只怕比”。这条谚语首次出现在1440年约翰·利德盖特的《马鹅羊之间的辩论》中。疲于比较的不仅仅是文章中的动物，现代功率转换器设计师们也不得不拼命从大量竞争性主张中尝试找出适合他们的应用的功率开关... 阅读详情

2021-08-30 |

什么是运算放大器、比较器？

什么是运算放大器？运算放大器(Operational Amplifier)是一种差分放大器，具有高输入电阻、低输出电阻、高开放增益（开环增益），并具有可放大+输入引脚与-输入引脚间的电压差的功能。每个电路由正侧电源引脚、负侧电源引脚、+输入引脚、-输入引脚、输出引脚等5个引脚构成。 *通常电源、输入、输出分类以外的引脚名称未进行统一运算放大器、比较器的图解符号运算放大器的电源引脚名称示例

2021-08-27 |

使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗

对于一直在设法提高效率和功率密度并同时维持系统简单性的功率设计师而言，碳化硅（SiC）MOSFET的高开关速度、高额定电压和小RDS(on)使得它们具有十分高的吸引力。然而，由于高开关速度会导致高漏源电压（VDS）峰值和长振铃期，它们会产生电磁干扰，尤其是在电流大时。本文提供了一个较好的解决方案来优化电磁干扰和效率之间的平衡。这种方法已经采用1200V 40mOhm器件进行了双脉冲测试验证。... 阅读详情

2021-08-27 |

车载电源线路用共模滤波器

安全性和舒适性不断增强的汽车搭载了很多电子设备。电子电路有信号线路和电源线路，需要分别采取防噪声对策。TDK的共模滤波器的特点是可以根据用途分别提出多种产品阵容，准备了追求小型薄型化的产品群、为了在车载用途中能应对严格的环境条件，采用独有端子结构的产品群。本章将介绍电源线路用共模滤波器。 DC输入滤波器电路基本构成 DC输入滤波器电路的滤波构成受基板图案的接地方法很大影响，... 阅读详情

2021-08-26 |

浅谈局部放电测量

本文按照KIT实验报告整理，作者：陈嘉腾德国卡尔斯鲁厄理工学院硕士生，文章来源：英飞凌工业半导体功率半导体在实际系统应用中会碰到各种问题，有些问题需要设计经验积累总结，有些经典问题已经写入了教科书，有些问题还是学术研究范畴，欢迎读者将工作和学习中的体会写出来分享。局部放电现象和危害局部放电是仅发生在绝缘体中的一部分区域的放电。这些放电也可能发生在电极上，但也可能是“无电极”... 阅读详情

2021-08-26 |

如何计算运算放大器所需的压摆率?

文章来源：得捷电子DigiKey微信公众号压摆率(Slew Rate)，也称转换速率，是运算放大器的一个重要参数。它反映放大器对输出电压转换的速率。换句话说，它显示运算放大器能够多快响应输入电平的快速变化。下图显示一般放大器输出时升压的波型。压摆率(Slew Rate) = ，通常以V/μs单位作表达。

2021-08-26 |

如何放缓开关期间的dV/dt

作者：UnitedSiC资深员工与研发工程师李中达博士简介在电动机控制等部分应用中，放缓开关期间的dV/dt非常重要。速度过快会导致电动机上出现电压峰值，从而损坏绕组绝缘层，进而缩短电动机寿命。在本应用说明中，来自UnitedSiC研发高级工程师李中达博士比较了三种不同的dV/dt控制方法。 dV/dt开关降低硅MOSFET、IGBT和SiC MOSFET的开关dV/... 阅读详情

2021-08-25 |

晶体管的负载开关

关于负载开关ON时的浪涌电流负载开关Q1导通瞬间会暂时流过比稳态电流大得多的电流。输出侧的负载容量CL的电荷接近零时，向输出VO施加电压的瞬间会流过大充电电流。这种流过大电流的现象称作浪涌电流（Flash Current）。浪涌电流的峰值大体可以通过输入电压VI、MOSFET Q1的RDS(on)和负载侧负载容量CL的ESR确定，输入电压VIN变大时，电流也相应变大。浪涌电流显著变大时，... 阅读详情

2021-08-25 |

利用宽带隙半导体技术提高功率转换效率

宽带隙半导体是高效功率转换的助力。有多种器件可供人们选用，包括混合了硅和SiC技术的SiC FET。本文探讨了这种器件的特征，并将它与其他方法进行了对比。高效是所有功率转换的共同目标，高效能够节省成本和电力，减少环境影响，让器件更小更轻，打造更可靠的设备和更好的功能。对于最新的和新兴的应用更是如此，例如，据说服务器农场的电子产品散热和空调消耗了全球1%以上的电力。在此应用中，在数百A电流下，... 阅读详情

2021-08-24 |

什么是热电偶特性？

作者： Digi-Key 工程师 Barley Li 热电偶是一种常见的无源传感元件，能够以可测量的方式响应温度。这些自供电元件无需激励，并且可以在较宽的温度范围（高达2000℃）内运行。它们可以快速响应，几乎不会产生严重系统延迟。上述热电偶结构简单，由两根不同的金属线制成。得到的输出电压较小（对于K型而言，约为40 μV/℃），需要精确放大。否则外部噪声（... 阅读详情

2021-08-24 |