<p><strong>关于负载开关ON时的浪涌电流</strong></p>
<p>负载开关Q1导通瞬间会暂时流过比稳态电流大得多的电流。输出侧的负载容量CL的电荷接近零时，向输出VO施加电压的瞬间会流过大充电电流。<br />
这种流过大电流的现象称作浪涌电流（Flash Current）。<br />
浪涌电流的峰值大体可以通过输入电压VI、MOSFET Q1的RDS(on)和负载侧负载容量CL的ESR确定，输入电压VIN变大时，电流也相应变大。<br />
浪涌电流显著变大时，有可能会引起误动作和系统问题。<br />
而且，在超过最大额定电流时，有导致破坏的危险。通过与MOSFET Q1的栅极、源极间电阻R1并联追加电容器C2， 并缓慢降低Q1的栅极电压，可以缓慢地使RDS(on)变小，从而可以抑制浪涌电流。</p>
<p><strong>负载开关等效电路图</strong></p>
<p><img alt="负载开关等效电路图" data-entity-type="file" data-entity-uuid="42351e6b-5c4f-4162-b4b6-f1b308662069" src="/sites/default/files/inline-images/%E8%B4%9F%E8%BD%BD%E5%BC%80%E5%85%B3%E7%AD%89%E6%95%88%E7%94%B5%E8%B7%AF%E5%9B%BE.png" /></p>
<p><strong>关于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应对措施</strong></p>
<p><strong>Nch MOSFET负载开关等效电路图</strong></p>
<p>Nch MOSFET 负载开关：RSQ020N03<br />
VIN=5V, IO=1A, Q1_1G=1V→12V</p>
<p>Q2 OFF时，负载SWQ1 ON。（Q1的栅极电压设定在VO(VGSQ1)之上。）<br />
Q2 ON时，负载SWQ1 OFF。<br />
Q1 ON时，由于会流过浪涌电流，所以作为应对措施追加C2。</p>
<p><img alt="Nch MOSFET负载开关等效电路图" data-entity-type="file" data-entity-uuid="d8c70b75-0868-4747-9f50-dd35e655acd3" src="/sites/default/files/inline-images/Nch%20MOSFET%E8%B4%9F%E8%BD%BD%E5%BC%80%E5%85%B3%E7%AD%89%E6%95%88%E7%94%B5%E8%B7%AF%E5%9B%BE.gif" /></p>
<p><strong>关于负载开关OFF时的逆电流</strong></p>
<p>即使在负载开关Q1从ON到OFF时，由于存在输出侧负载容量CL，所以输出VO引脚的电压会残留一定时间。<br />
输入VI侧比输出VO侧电压低时，由于MOSFET Q1的漏极、源极间存在寄生二极管，所以有时寄生二极管导通会发生从输出VO侧到输入VIN侧的逆电流。<br />
要注意，不要超过MOSFET Q1的额定电流值。<br />
关于输入旁路电容器CIN的容量值，请在充分探讨负载侧条件、上升时间后再决定。</p>
<p><strong>负载开关等效电路图</strong></p>
<p><img alt="负载开关等效电路图" data-entity-type="file" data-entity-uuid="f05a8692-43ba-43de-adb1-178a33a77a9c" src="/sites/default/files/inline-images/%E8%B4%9F%E8%BD%BD%E5%BC%80%E5%85%B3%E7%AD%89%E6%95%88%E7%94%B5%E8%B7%AF%E5%9B%BE2.png" /></p>
<p>文章来源：<a href="https://www.rohm.com.cn/electronics-basics/transistors/tr_what8">罗姆</a>…;