技术
如何在有限空间里实现高性能?结合最低特定RDS(On)与表面贴装技术是个好方法!
SiC FET在共源共栅结构中结合硅基MOSFET和SiC JFET,带来最新宽带隙半导体技术的性能优势,以及成熟硅基功率器件的易用性
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工艺
TechInsights发现了四种EUV光刻(EUVL)工艺,用于阵列有源切割/外围有源(有源修剪)、位线接触(BLC)、存储节点接触垫(SNLP)/外围第一金属层 (M1)和存储节点(SN)管图形化