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技术

2D/3D 热分析和三裸片堆叠设计实现

Mohamed Naeim 博士曾在CadenceLIVE 欧洲用户大会上做过一场题为《2D/3D 热分析和三裸片堆叠设计实现》的演讲,本文将详细讲述该演讲内容

给SiC FET设计PCB有哪些注意事项?

SiC FET(即SiC JFET和硅MOSFET的常闭共源共栅组合)等宽带隙半导体开关推出后,功率转换产品无疑受益匪浅

什么是隔直电容,它们为何重要?(上)

电子设备为我们的世界提供动力,让通信得以进行。在所有需要信号完整性和精确功率放大的应用中,都需要使用隔直电容来提供清晰的波形和合适的放大电压。

地阻抗对时钟的影响

随着科技和智能设备的飞速发展,越来越多的电子产品应运而生,但随之而来的电磁辐射问题也越来越多

利用内存及存储构建边缘策略

边缘计算系统想要支持机器学习与推理并实现 GPU 级别的计算性能,就需要高性能 DRAM 解决方案

功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时栅极电阻选型注意事项

本文介绍选择栅极电阻时的考虑因素,如脉冲功率、脉冲时间和温度、稳定性、寄生电感等

如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡

在工业、汽车和可再生能源应用中,基于宽禁带 (WBG) 技术的组件,比如 SiC,对提高能效至关重要

揭秘800G OSFP VR8模块技术与多领域应用

本文将详细介绍800G OSFP VR8模块的技术特点、应用场景和优势,为相关领域的技术人员和用户提供参考

搭载1200V P7芯片的PrimePACK™刷新同封装功率密度

相比于以前的IGBT4或IGBT5产品,新的IGBT7产品进一步拓展了PrimePACK™封装电流等级,而且极大地提升了模块的功率密度

通过慢速跳频减少无线通信中的干扰

电磁干扰是无线通信中的一个严重问题。为了确保数据传输的安全性,有必要尽量减少这种干扰

如何选择符合应用散热要求的半导体封装

在本博客中, Nexperia(安世半导体)讨论了其焊线封装和夹片粘合封装的散热通道,以便设计人员选择更合适的封装。

使用霍尔效应电流传感器简化高压电流检测

本文将探讨选择每种拓扑时需要考虑的因素,并重点介绍在高压应用中使用霍尔效应电流传感器来简化电流检测这一创新技术。

以更小封装实现更大开关功率,Qorvo SiC FET如何做到的?

Qorvo的SiC FET技术用于采用TO-Leadless(TOLL)封装的750V器件开发,并扩大了其领先优势。那么,如此小巧的TOLL封装能带来什么?

VGA OUT 的PCB设计注意事项

VGA(Video Graphics Array)即视频图形阵列,具有分辨率高、显示速率快、颜色丰富等优点

反激隔离式开关电源的工作过程

反激隔离式变压器开关电源,首先其是反激式,符合“反激”的定义,即:反激是开关管截止时,传输能量

FSPI的PCB设计

FSPI是一种灵活的串行接口控制器,RK3588芯片中有1个FSPI控制器,可用来连接FSPI设备。

半导体器件击穿机理分析及设计注意事项

本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制,以及在设计应用中注意事项

旁路电容器的重要作用(下)

本文将带您深入探讨旁路电容器是如何提高电子系统的可靠性的

音频接口电路的PCB设计注意事项

音频接口是连接麦克风和其他声源与计算机的设备,其在模拟和数字信号之间起到了桥梁连接的作用。

如何在有限空间里实现高性能?结合最低特定RDS(On)与表面贴装技术是个好方法!

SiC FET在共源共栅结构中结合硅基MOSFET和SiC JFET,带来最新宽带隙半导体技术的性能优势,以及成熟硅基功率器件的易用性