技术

我们将参照图3-6（a）来解释MOSFET的工作原理。
（1）在漏极为正极的漏极和源极之间施加电压。（漏极-源极电压：VDS）
（2）在栅极为正极的栅极和源极之间施加电压。（栅极-源极电压：VGS）
（3）其结果是，电子被吸引到栅极绝缘膜下面的p型层上，部分p型层转变为n型区（p型层中的n型区称为“反转层（沟道）”）。

众所周知，说到延时，很多人都会想到用软件件来实现，比如定时器之类的。今天就来说说用硬件来实现定时的方式，虽说没有那么准，但是有些场合还是用得到的。今天我们来介绍一下6种延时电路工作原理。

1、 精确长延时电路图

关于BJT和MOSFET开关操作差异的解释。

（1）基极电压升高时，BJT的基极电流开始流动，集电极电流与基极电流成正比。大约从0.7V开始发生电流流动。这个电压被称为基极-发射极阈值电压（VBE）。为了使集电极电流流动，需要提供基极电流，并且需要连续的驱动功率。（需要低驱动电压、连续驱动功率）

尖峰电流的形成：

数字电路输出高电平时从电源拉出的电流Ioh和低电平输出时灌入的电流Iol的大小一般是不同的，即：Iol＞Ioh。以下图的TTL与非门为例说明尖峰电流的形成：

我们常常想当然地为印刷电路板上的电路上电，殊不知这可能造成破坏以及有损或无损闩锁状况。随着片上系统(SoC) IC越来越多，对电源进行时序控制和管理的需求也越来越多……

利用二极管的单向导电性可以设计出好玩、实用的电路。本篇将分析限幅电路和钳位电路，是如何用二极管来实现的。

限幅电路

如下图所示，当在正半周期，并且VIN大于等于0.7V，二极管正向导通。此时，VOUT会被钳位在0.7V上。

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前最受关注的晶体管。

MOSFET有两种类型：N沟道（参见下图3-4（a）N沟道）和P沟道（参见下图3-4（b）P沟道）。

N沟道广泛用于AC／DC电源、DC／DC转换器、逆变器设备等，而P沟道则用于负载开关、高边开关等。

双极晶体管和MOSFET之间的差异如表3-1所示。

半导体元器件在整机应用端的失效主要为各种过应力导致的失效，器件的过应力主要包括工作环境的缓变或者突变引起的过应力，当半导体元器件的工作环境发生变化并产生超出器件最大可承受的应力时，元器件发生失效。应力的种类繁多，如表1，其中过电应力导致的失效相对其它应力更为常见。

作者：黄刚，文章来源：高速先生

大家估计知道一对高速信号孔旁边需要加地过孔，但是要加多少个呢？相信广大粉丝们心里是没底的，别急！高速先生今天帮大家量化出来哈。