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实际使用中，电源的来源从来都不理想。构建可靠的电力系统需要考虑包括寄生在内的实际行为。在使用电源时，我们要确保开关稳压器等DC-DC转换器能够承受一定的输入电压范围，并能以足够的电流产生所需的输出电压。输入电压经常指定为一个范围，因为通常无法精确调节。但是，为了使电源可靠地工作，输入电压必须始终在开关稳压器允许的范围内。

​​在开关电源电路中，MOSFET作为最核心的器件，却也是最容易发热烧毁的，那么MOSFET到底承受了什么导致发热呢？本文来带你具体分析。

碳化硅（SiC）是一种宽带隙半导体，其带隙宽度为3.26eV，远高于硅（Si）的带隙宽度（=1.12eV）。SiC具有较高的击穿电场和较高的热导率，这是由于它具有较低的晶格常数（即较短的原子间距离）从而具有较高的原子键。

Si和SiC的物理性质比较

作者：英飞凌科技功率半导体和系统工程部杰出工程师Gerald Deboy 博士

输入偏置电压是指有差分输入电路的运算放大器或比较器带有的误差电压。理想运算放大器或比较器的偏置电压为0V。

给运算放大器或比较器的输入引脚输入同相（相同）电压时，理想运算放大器不会输出偏置电压，但存在输入偏置电压时，就会输出与输入偏置电压相应的输出电压。

将该输出电压控制为0V所需的输入引脚间的电压差被称为输入偏置电压，该值为输入换算值。

作者：周利伟，英飞凌工业功率控制事业部大中华区应用工程师

在我们的日常工作中，经常会碰到器件失效或系统故障，这时为了清楚界定失效事件的严重性，就需要定量的来描述具体的失效率，这就需要用专业的术语来沟通，而有的工程师喜欢谈FIT，有的工程师喜欢谈MTBF，其实这两个概念所描述的主体是不一样的，因此有必要在此简析一下。

陶瓷电容真的会老化？什么是十倍时？

随着时间的推移，陶瓷电容会因结构的变化而失去一部分容值。这种损耗是无法避免的，但可以测量并确定。原厂通常会使用十倍时作为这一损失的计量单位。

运算放大器中有表示特性的代表性参数。

放大率和电压增益<放大率和电压增益>

若给放大电路的输入增加电压，则在其输出时，会出现输入电压放大率的倍数。该放大率用输出电压的大小除以输入电压的大小所得的值表示。

n型半导体是指以磷（P）、砷（As）或锑（Sb）作为杂质进行掺杂的本征半导体。第IV组的硅有四个价电子，第V组的磷有五个价电子。如果在纯硅晶体中加入少量磷，磷的一个价电子就可以作为剩余电子自由移动（自由电子*）。当这个自由电子被吸引到“＋”电极上并移动时，就产生了电流流动。

* 这个自由电子就是n型半导体的载流子。

光继电器是一种光耦。光耦由输入侧的一个LED和输出侧的一个光电检测器组成，二者在内部组合在一起；光耦产品会因输出侧光电检测器的类型而有所不同。光耦产品的主要类型包括晶体管输出光耦、IC输出光耦、双向可控硅输出光耦和MOSFET输出光耦（称为“光继电器”）。