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功率半导体开关通常在用于电路设计时，能够在不增加开关损耗的情况下减小电流传导期间的损耗，这是其一大优势。在各种电路保护应用中，器件需要连续传送电流，较低的传导态损耗有利于使系统保持较高的效率，并将产生的废热降至最低。如果在这些应用中需要放心地使用这些功率开关，必须满足各种类型的耐用性标准。

双电源 / 单电源 / 轨到轨运算放大器

根据输入/输出电压范围的差异，运算放大器（运放）大致分为“双电源运算放大器”、“单电源运算放大器”、“轨到轨运算放大器”三种类型。每种运算放大器的输入/输出电压范围如下图所示：

在电源与充电桩等高功率应用中，通常需要专用驱动器来驱动最后一级的功率晶体管。这是因为大多数微控制器输出并没有针对功率晶体管的驱动进行优化，如足够的驱动电流和驱动保护功能等，而且直接用微控制器来驱动，会导致功耗过大等弊端。

一个稳定的直流电源是电子装置必不可少的组成部分，它通常由交流电经过稳压、整流和滤波电路组成。

电路设计过程中，应用工程师往往会忽视印刷电路板(PCB)的布局。通常遇到的问题是，电路的原理图是正确的，但并不起作用，或仅以低性能运行。

那如何正确地布设运算放大器的电路板以确保其功能、性能和稳健性呢？

事件重现

漏电流是一个重要的电容的参数，以安规电容Vishay的 

运算放大器的电路结构

运算放大器的内部电路结构如下所示。

一般由输入段、增益段、输出段等3段电路构成。

输入段由差分放大段构成，用于放大两个引脚间的电压差。 另外，同相信号成分（引脚间无电位差，输入相等电压的状态）不放大，起抵消作用。

许多设计中都需要半导体脚端弯曲。本博客讨论为实现可靠结果需要避免的错误和遵守的建议。

随着5G通信与新能源车的普及，人们对高效率电源的需求越来越多。而提升电源转换效率的关键因素就在于开关电源中的功率部分。

比较SiC开关的数据资料并非易事。由于导通电阻的温度系数较低，SiC MOSFET似乎占据了优势，但是这一指标也代表着与UnitedSiC FET相比，它的潜在损耗较高，整体效率低。