电池充电器的反向电压保护
judy -- 周二, 12/07/2021 - 17:29
作者:Steven Martin,电池充电器设计经理,ADI公司
为智能硬件开发者、创客提供有关基于英特尔嵌入式处理器的应用技术介绍和合作伙伴方案介绍
作者:Steven Martin,电池充电器设计经理,ADI公司
当信号从输入侧传输至输出侧时,光耦是一种即使在电气隔离状态下也能在电路之间传输信号的器件。在光耦内部,通过使用发光器件将电输入信号一次转换为光信号,然后使用光电检测器件将光信号转换为电信号之后再将其输出。在FA、OA以及家用电子设备中,不同的直流和交流电源系统均安装在同一块电路板中,信号在这些系统之间传输。如果直接连接这些系统,操作时可能会出现安全问题。
现代工业对电力电子设备提出了很多要求:体积小、重量轻、功率大、发热少。面对这些要求,Si MOSFET因Si材料自身的限制而一筹莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天优势开始大显神通。SiC MOSFET大规模商用唯一的缺点就是价格。但随着良率的提升和采用更大尺寸的晶圆,SiC与Si之间的成本差距正在收窄,在整车系统总体成本反而有明显的优势。
基于各种MOSFET结构的特性和主要应用如表3-2所示。
文章来源: 亚德诺半导体
开关电源通常使用电感来临时储能。在评估这些电源时,测量电感电流通常有助于了解完整的电压转换电路。但测量电感电流的最佳方法是什么?
作者: 卓晴,来源:TsinghuaJoking
简 介: 如果你是一个急性子的电子狂热者,那么快速PCB制作是一个可以让你把硬件开发变得和软件开发一样容易的技术。掌握它,可以事半功倍,抚平你那躁动的狂野心灵。
作者:卓晴,来源:TsinghuaJoking
作者:陈虎,来源:凡亿PCB
当我们在做高速PCB设计时,很多工程师都会纠结于包地问题,那么高速信号是否需要包地处理呢?
(1)SJ-MOS在N层具有柱状P层(P柱层)。P层和N层交替排列。(参见图3-9(b))
(2)通过施加VDS,耗尽层在N层中扩展,但其在SJ-MOS中的扩展方式与在一般D-MOS中不同。(关于电场强度,参见图3-9(a)/(b)。电场强度将表示耗尽层的状态。
文章来源:罗姆半导体集团
本文先介绍使用通用电源IC实现电源时序控制电路中,电源导通时的时序工作。