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在平时中，我个人经常遇到的推挽电路是第一种。当我每次问身边的工程师：“为什么不选择使用第二种？第二种是上P下N型，这样的管子在实际中用起来，理论中比上N下P型更有优势呀。

近日，来自Yole Développement及其旗下咨询公司System Plus Consulting的两位分析师共同对谷歌最新推出的5G Pixel 6进行了拆解和研究

电源设计者如今面临两个主要问题：消除有害的输入谐波电流和确保功率因数尽可能地接近于1。有害的谐波电流会导致传输设备过热，并带来后续必须解决的干扰难题

在本篇文章中，我将从不同方面深入介绍降压、升压和降压-升压拓扑结构。  

0欧电阻相当于很窄的电流通路，能够有效地限制环路电流，使噪声得到抑制。

我们的Digi-Key工程师经常收到客户这样的问题：如何从没有额定电压标记的铝电解电容上确认它的额定电压?

本文中的光耦振荡电路则是利用了电流转移系数大于1所带来的电流增益而工作的。通过对PC851、TLP521的电流转移系数的测量，获得了它们电流增益随着工作电流不同变化情况，也验证了光耦震荡电流的工作原理。

前几篇文章我们讨论了关于，基本半导体和本征半导体的关系以及将本征半导体中掺入，不同的杂质，会出现不一样的物理现象。但仅仅这样好像对电路进步没有太大的作用。如果将这两个杂质半导进行结合呢？

近年来，人们对固态断路器和固态功率控制器的兴趣越来越浓厚。鉴于SiC JFET在高额定电压下具有低开态电阻而且它在需要时进行限流的能力毫不逊色，它们一直被视为此应用的理想器件。我们调查了常关型SiC FET在双栅极结构中的使用情况，以简化大电流直流断路器和交流断路器的开发

今天给大家分享一个串扰引发损耗变大的问题。这类问题经常出现在小型化的产品、连接器、线缆等产品中。