轻负载时开关元件工作相关的注意事项
judy -- 周一, 11/15/2021 - 15:54
相移全桥电路中轻负载时流过的电流小,LS中积蓄的能量少,所以很有可能在滞后臂的COSS充放电完成之前就开始开关工作。因此,ZVS工作无法执行,很容易发生MOSFET的导通损耗。
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相移全桥电路中轻负载时流过的电流小,LS中积蓄的能量少,所以很有可能在滞后臂的COSS充放电完成之前就开始开关工作。因此,ZVS工作无法执行,很容易发生MOSFET的导通损耗。
JFET的操作
JFET:结型场效应晶体管
(1)在N沟道结型场效应晶体管(图3-3(a))中,当在漏极和源极之间施加电压时,电子从源极流向漏极。
(2)当在栅极和源极之间施加反向偏压时,耗尽层扩大并抑制(1)中的电子流动。(使电子流动的路径变窄)
本文转载自:贸泽电子
MOSFET是一种常见的电压型控制器件,具有开关速度快、高频性能、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、安全工作区域(SOA)宽等一系列的优点,因此被广泛的应用于开关电源、电机控制、电动工具等各行各业。栅极做为MOSFET本身较薄弱的环节,如果电路设计不当,容易造成器件甚至系统的失效,因此发这篇文章将栅极常见的电路整理出来供大家参考讨论,也欢迎大家提出自己的观点。
电源输出电容一般是100 nF至100 μF的陶瓷电容,它们耗费资金,占用空间,而且,在遇到交付瓶颈的时候还会难以获得。所以,如何最大限度减小输出电容的数量和尺寸,这个问题反复被提及。
输出电容造成的影响
论及此问题,输出电容的两种影响至关重要:对输出电压纹波的影响,以及在负载瞬变后对输出电压的影响。
作者:陈子颖 ,来源: 英飞凌工业半导体
IGBT短路特性
BRT是指偏置电阻内置型晶体管。BJT通常配合电子设备中的电阻器使用。使用BRT(集成了晶体管和电阻器)可以减少安装面积。
利用二极管的单向导电性可以设计出好玩、实用的电路。分享本文,分析限幅电路和钳位电路,是如何用二极管来实现的。
限幅电路
如下图所示,当在正半周期,并且VIN大于等于0.7V,二极管正向导通。此时,
VOUT会被钳位在0.7V上。
作者: 陈虎,文章转载:凡亿PCB
首先我们需要知道什么是ESD?