如何在有限空间里实现高性能?结合最低特定RDS(On)与表面贴装技术是个好方法!
judy -- 周五, 08/25/2023 - 11:29
SiC FET在共源共栅结构中结合硅基MOSFET和SiC JFET,带来最新宽带隙半导体技术的性能优势,以及成熟硅基功率器件的易用性
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