技术

p型和n型半导体之间的接触面即称为PN结。

p型和n型半导体键合时，作为载流子的空穴和自由电子相互吸引、束缚并在边界附近消失。由于在这个区域没有载流子，所以它被称为耗尽层，与绝缘体的状态相同。

转换速率是表示运算放大器的工作速度的参数。

表示输出电压在规定的单位时间可变化的比例。

例如，1[V/µs]表示在1[µs]内可使电压发生1[V]的波动。

理想运算放大器可忠实地输出任何输入信号对应的输出信号，但实际上还存在一种叫做转换速率的限制。

除了硅，还有结合了第III组和第V组元素以及第II组和第VI组元素的化合物半导体。例如，GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、InGaAlP（磷化铝镓铟）等通常用于高频器件和光学器件。

近年来，InGaN（氮化铟镓）作为蓝光LED和激光二极管的材料引起了人们的广泛关注，SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为功率半导体材料也得到了一定程度上的关注和商业化。

说明：要理解倍压电路，首先要将充电后的电容看作一个电源。可以和供电电源串联，就像普通的电池串联的原理一样。

实际使用中，电源的来源从来都不理想。构建可靠的电力系统需要考虑包括寄生在内的实际行为。在使用电源时，我们要确保开关稳压器等DC-DC转换器能够承受一定的输入电压范围，并能以足够的电流产生所需的输出电压。输入电压经常指定为一个范围，因为通常无法精确调节。但是，为了使电源可靠地工作，输入电压必须始终在开关稳压器允许的范围内。

​​在开关电源电路中，MOSFET作为最核心的器件，却也是最容易发热烧毁的，那么MOSFET到底承受了什么导致发热呢？本文来带你具体分析。

碳化硅（SiC）是一种宽带隙半导体，其带隙宽度为3.26eV，远高于硅（Si）的带隙宽度（=1.12eV）。SiC具有较高的击穿电场和较高的热导率，这是由于它具有较低的晶格常数（即较短的原子间距离）从而具有较高的原子键。

Si和SiC的物理性质比较

作者：英飞凌科技功率半导体和系统工程部杰出工程师Gerald Deboy 博士

输入偏置电压是指有差分输入电路的运算放大器或比较器带有的误差电压。理想运算放大器或比较器的偏置电压为0V。

给运算放大器或比较器的输入引脚输入同相（相同）电压时，理想运算放大器不会输出偏置电压，但存在输入偏置电压时，就会输出与输入偏置电压相应的输出电压。

将该输出电压控制为0V所需的输入引脚间的电压差被称为输入偏置电压，该值为输入换算值。

作者：周利伟，英飞凌工业功率控制事业部大中华区应用工程师

在我们的日常工作中，经常会碰到器件失效或系统故障，这时为了清楚界定失效事件的严重性，就需要定量的来描述具体的失效率，这就需要用专业的术语来沟通，而有的工程师喜欢谈FIT，有的工程师喜欢谈MTBF，其实这两个概念所描述的主体是不一样的，因此有必要在此简析一下。