专为工业应用而设计的MOSFET—TOLT封装
judy -- 周一, 12/05/2022 - 15:52
本文介绍了 TOLT 的封装方案、热性能和电路板的可靠性。
为智能硬件开发者、创客提供有关基于英特尔嵌入式处理器的应用技术介绍和合作伙伴方案介绍
本文介绍了 TOLT 的封装方案、热性能和电路板的可靠性。
本篇文章将针对上述HBM设计挑战和传统仿真流程上的问题,提出相应的解决方案
飞跨电容器拓扑是一种多电平拓扑、非常适合且不限于光伏逆变器的升压级应用。顾名思义、这项技术需要电容器作为关键部件。本文描述并比较了适用的 TDK 解决方案。
当铝电解电容在没有施加电压的情况下长时间储存时,泄漏电流会增加并漂移到规格之外
在电源设计中,精心的布局和布线对于能否实现出色设计至关重要,要为尺寸、精度、效率留出足够空间
大多数工业接近传感器(包括电感式、电容式、超声波和光电式)都是固态的。
相比基于硅(Si)的MOSFET,基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可实现更高的效率水平,但有时难以轻易决定这项技术是否更好的选择。本文将阐述需要考虑哪些标准因素。
本文研究并比较了影响因素,包括解耦电容位置、功率FET尺寸和位置以及过孔布置。
在过去的 75 年里,晶体管技术最明显的变化就是我们能制造多少。
可借助多种不同类型的传感器解决伴随自主机器人而来的挑战。下面详细介绍一下其中的两类传感器