氮化镓

GaN 氮化镓晶体管（HEMT）的基本结构如下图1所示，以 GaN/AlGaN 异质结为主体，在AlGaN/ GaN的异质结界面处，由于氮化镓材料的自发极化效应与压电极化效应

器件的比导通电阻低至4.6 mΩ·cm2，巴利加优值（BFOM）超过785 MW/cm2，在安培级电流输出能力的E-mode GaN HEMTs中处于领先水平

700V PowerGaN功率器件提升能效，缩减电源设计体积，适用于AI服务器、机器人、工业设备，以及家电等高端消费类产品

安森美的GaNEXUS产品组合为下一代电源架构带来更快开关速度、更低开关损耗、更高功率密度及更优热性能

过去一年，人形机器人成为了全球市场关注的焦点。从特斯拉Optimus，到Figure AI，再到国内的智元机器人、宇树科技等各类人形机器人初创公司，人们的目光大多聚焦在AI大模型的进化