本文首先介绍了一个典型的共射极放大器，然后探讨了发射极旁路电容器的工作原理。我们将研究电容器对增益、失真和频率响应的影响

器件节省成本和空间，力度达120 N，额定工作电压低至12 V（8 V至16 V），可提供车载和商用高分辨触控效果

Power Integrations灵活通用的InnoSwitch3-AQ反激式开关IC产品系列为汽车应用提供了多种方案选择

近年来，为了满足 5G、AI、汽车电子等新兴市场不断增长的算力需求，芯片的集成度不断提高，相应的功耗也随之增加。

株式会社村田制作所面向1.2mm以下的低矮应用，开发了可以3.3输入电压输出上限12A的高效率DC-DC转换器IC“FlexiBK系列(PE24110)”

三星电子今日宣布，三星首款1太比特（Tb）四层单元（QLC）第九代V-NAND（V-NAND）已正式开始量产。

本文深入探讨了SiC的基本特性、优势、减少体积以及加速其研发的方法，并通过SiC MOSFET电源模块方案来进行实例分析，旨在为相关设计提供有益的参考与指导。

今天，我们将介绍英特尔的两项突破性技术：RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术

人工智能机器人是改变机器人执行操作方式的技术奇迹之一。如今的机器人技术不再仅仅局限于机械和电子技术，在计算机科学的帮助下，人工智能机器人正在变得更加智能和高效。

MLX90834的核心竞争力源自迈来芯独有的Triphibian™技术。该技术通过创新的MEMS传感器设计，确保在气体和液体介质中进行精确压力测量的能力，即使在高达70bar的高压环境中也能游刃有余。