第19讲:SiC MOSFET的驱动电路设计(1)
judy -- 周三, 04/23/2025 - 15:55
本章节带你了解SiC MOSFET驱动电路设计、驱动电阻选择、死区时间等注意事项。
本章节带你了解SiC MOSFET驱动电路设计、驱动电阻选择、死区时间等注意事项。
本文中,DigiKey对比了电流检测放大器与差分放大器,分析其架构、性能及应用差异,突出电流检测放大器在带宽、共模抑制比及高频应用中的优势。
SGM61111Q 是一款专为高密度设计而优化的高频同步降压转换器,能够实现简单快速的应用部署。
新款OX01N1B是专为驾驶员监控系统摄像头设计的高性价比解决方案,具备行业领先的量子效率、调制传递函数和低功耗
本文介绍了在 AURIX™ TC3xx 单片机上移植 FreeRTOS 实时操作系统的操作步骤
AH4930Q 可检测 X、Y、Z 轴的磁场,实现可靠且高精度的非接触旋转运动与接近检测。
本文中,DigiKey介绍了理想二极管技术的优势、应用以及在选择时面临的挑战,并重点介绍了Analog Devices, Inc. (ADI)公司的集成理想二极管解决方案。
额定循环次数高达100万次,为汽车、医疗、工业和高端消费应用提供卓越的耐用性和可靠性。
根据Counterpoint最新的全球车载无线充电追踪报告,2024年全球车载无线充电系统销量同比增长14%。随着技术的成熟,无线充电正从一个可选的附加功能变成一个标准功能。
上篇我们了解了运算放大器在使用之前的一些重要注意事项。本篇让我们来了解一下如何将运算放大器在系统设计中使用得恰到好处,让其能力得以充分发挥。