英飞凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET功率模块
judy -- 周五, 08/06/2021 - 16:47
近日,英飞凌科技股份公司将EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN) 陶瓷。该器件采用半桥配置, EasyDUAL 1B封装的导通电阻(R DS(on))为11 mΩ,EasyDUAL 2B封装的导通电阻(R DS(on))为6 mΩ。
近日,英飞凌科技股份公司将EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN) 陶瓷。该器件采用半桥配置, EasyDUAL 1B封装的导通电阻(R DS(on))为11 mΩ,EasyDUAL 2B封装的导通电阻(R DS(on))为6 mΩ。
选定方法
作者:Reza Behtash,Nexperia公司
一、特种二极管
1. 快恢复二极管(FRD)----快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降为0.6V~1V,正向电流为几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百伏特至几千伏特,可用作开关电源中的输出整流管、一次侧钳位保护电路的阻塞二极管。
射频术语简介
本文将涵盖一些与Digi-Key在售天线产品的相关术语(也适用于接收器、发射器和收发器,以及任何与RF相关的器件)。对于刚开始研究这类技术的客户而言,有些术语可能相当令人困惑。
分贝
新器件提高系统可靠性;支持低成本的四层 PCB 板
关于晶体管ON时的逆向电流
在NPN晶体管中,基极 (B) 被偏置为正,集电极 (C) 被偏置为负,由发射极 (E) 流向C的是逆电流。
全球被动元件领导厂商-国巨集团,为因应快速成长的电动车及5G通讯市场需求,主推半导体扩散工艺制成的瞬态抑制二极体(TVS)保护元件。
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