在设计PCB时，我们通常会依赖以前在网上找到的经验和技巧。某些规则在设计时是通用的，也有部分规则只能用于特定设计。

本文阐述了如何将英飞凌的CoolGaN™集成功率级（IPS）技术应用于有源钳位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC转换器拓扑。

对于任何半导体来说，封装对于电气隔离、产品稳健性和热管理都很重要。尤其是对于功率半导体来说，这是至关重要的。

ROHM的PMDE封装通过扩大背面电极和改善散热路径，提高了散热性能。封装小型化的同时，实现与传统封装同等的电气特性。

本文介绍英飞凌的绝缘体上硅（SOI）驱动芯片技术。

在自动驾驶的进程中，汽车配备了越来越多的传感器。相比使用其他测量原理和技术的传感器，基于霍尔效应的磁场传感器拥有诸多优势。

在“完全堆叠”状态下，HBM3 高带宽显存可轻松达成 24GB 的容量，辅以较 HBM2E 翻倍的 16 通道架构 @ 6.4 Gbps 频率。

为解决此类社会课题，以各企业级别努力促进再生能源的利用，实现可持续发展的社会则变得至关重要。为了实现RE100，村田制作所集团持续推行全集团事业活动中使用电力的可再生能源化。

京瓷开发的低热膨胀陶瓷基板材料GL570，热膨胀系数与Si接近，同时又具有高刚性，是适用于高性能计算机群（HPC）中大型化IC芯片或Si转接板的一次封装，且能确保可靠性的材料。

与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源导通电阻下降约42%。