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DDR4、LPDDR4供给收敛，2025年下半年恐出现结构性缺货，价格大幅上涨

根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年下半年DDR4市场处于持续供不应求与价格强势上涨态势，由于Server的刚性订单挤压了PC和Consumer市场的供应

Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持续工作，助力动力总成系统实现最大性能。

这种直插型电感器采用变线绕阻，铁粉合金磁芯技术，可实现低直流电阻（DCR），从而减少功耗，并提高效率

该系列时钟产品凭借高性能、低功耗及易用性等核心优势，将为人工智能、高速通信、工业控制等关键领域提供精准、可靠的时钟信号支撑。

该产品采用大像素设计，具有更高的灵敏度，感光谱段覆盖软X射线、紫外、可见光和近红外，凭借原生16bit 输出和三面可拼接的结构设计，是天文观测领域的理想之选。

NEO Semiconductor重磅推出全球首款用于AI芯片的超高带宽内存（X-HBM）架构，基于其自研的3D X-DRAM技术，突破传统HBM技术在带宽与容量上的瓶颈

采用思特威全新Lightbox IR®-2近红外增强技术，对关键特性近红外感度进行了深度优化，能够在户外低照度远距离场景中，为安防摄像头提供清晰明亮的画面信息

xPU-CPO实现了在相同面积下40%的通信密度增加，从而能更好地支持算力芯片的系统算力需求

SGM260320 为 SSD 系统供电提供完整的电源解决方案，助力产品实现小型化设计。

江苏多维科技推出的全极型TMR13Nx系列磁开关传感器芯片，基于隧道磁阻（TMR）技术，为智能笔提供全极型开关磁触发解决方案。

B3264xH系列电容器具有高绝缘电阻、低损耗因数及稳健的自愈性等诸多特点，在+85 °C及满额定电压条件下的设计使用寿命可达200,000小时

这款传感器内置7,500个图像传感元素数量，支持A3多功能打印机

Diodes推出符合汽车标准*的 80V 理想二极管控制器 AP74502Q 和 AP74502HQ，提供强大且可靠的反向连接保护和电压瞬变保护

2025-08-05 | undefined

基于国内自主研发的垂直沟道 BCD 集成工艺和全国产化封测供应链，在 N 型衬底单晶圆上实现了 MOS 与控制器的融合

近年来，光伏逆变器系统出现了使用封装内霍尔效应电流传感器来替代传统穿孔传感器的趋势，这有利于太阳能系统性能、功率效率和可靠性。