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美芯晟推出高灵敏度、高采样率ALS+Flicker传感器MT3228该芯片搭载20kHz以上超宽频频闪检测通道,暗光灵敏度与响应能力显著提升,可覆盖主流屏幕及照明频闪范围,同时兼具环境光精确感知功能。
1500V SiC单管,助力兆瓦闪充2.0高效落地此单管具备20mΩ极低单位面积导通电阻,能大幅降低充电过程中的能量损耗,减少器件发热,让充电过程更高效、更稳定
村田预估性维护应用振动传感器,可检测至20kHz高频范围可以用本产品替代依靠人耳进行的高频范围微小异常振动检测,从而实现对设备故障的早期预估,帮助减少设备停机时间
如何应用英飞凌新一代G2 CoolSiC™ MOSFET 提升系统效率CoolSiC™ MOSFET G2 1200V系列产品是英飞凌最新推出的SiC MOSFET 产品,均采用了扩散焊工艺(.XT) 来降低结壳热阻。TO247封装器件的导通电阻从7mΩ到78mΩ。
思特威全新安防 CIS 登场:SmartAOV®2.1 加持,全天候低功耗成像升级搭载思特威创新的SmartAOV®2.1技术,支持全时录像(AOV)功能,能够满足无线电池供电摄像头、4G太阳能监控等设备的全天候稳定拍摄需求。
SafeNovo® | 功能安全系统中的芯片选型考量:从系统概念到硬件要素评估本文将从系统安全概念、ISO 26262硬件要素评估方法论及典型测试实践三个层面展开解析,为功能安全系统中的芯片选型提供系统化的考量框架与决策依据。
AI需求稳健、消费类承压,MLCC供应商定价出现分歧随着金属原物料(银、铝、铜)报价攀升,带动磁珠、电感、电阻等被动元件价格自四月一日起调涨,平均涨幅达10%至15%。
广通远驰AN778车规级5G模组:DSDA双卡双通技术突破,赋能高阶智驾通信支持400MHz带宽、NR 5CC,下行速率峰值9.8Gbps、上行速率峰值 1.875Gbps,率先在模组侧完成 DSDA 3TX(双卡双通)通信能力验证
芯片测试要更准,精密放大器该怎么选?随着半导体产业的不断发展,半导体测试设备发挥着重要作用。由于半导体和集成电路的不断发展以及对电子产品的越发严刻的要求,测试设备必须不断改进。
芯擎科技发布5纳米车规级AI座舱芯片“龍鹰二号”“龍鹰二号”AI算力高达200 TOPS,原生支持7B+多模态大模型,具备主动意图感知能力,内置多核CPU 360KDMIPS,GPU 2800GFLOPS,带宽高达518GB/s
安富利TLE9018高精度BMU方案:面向高可靠电池管理的技术升级

安富利基于Infineon TLE9018DQK的BMU方案,结合TRAVEO T2G CYT2B75 功能安全ASIL B主控平台,可为客户提供一套兼顾高精度监测、工程可落地性的电池管理参考设计。

低压GaN转换器栅极驱动和测量

氮化镓场效应晶体管(GaN FET)相较于硅FET,开关速度更快,封装更小,功率损耗更低。这些特性使得电源转换器能够在更高频率下运行,从而既能减小整体解决方案尺寸,又能保持高效率

美芯晟推出长距离、高精度DTOF激光雷达接收SOC芯片MT3806

MT3806可在室内外各类复杂环境实现稳定可靠的测距输出,默认测距范围覆盖0.02m~15m,经选配配置后测距距离可达60m

满足汽车应用需求的多层片式陶瓷电容器与NTC热敏电阻

本文将为您介绍满足汽车应用需求的MLCC与NTC热敏电阻,以及由Murata(村田制作所)所推出的相关解决方案。

SiC MOSFET的并联设计要点

SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制,常见的单管额定电流多在几十到两百安培,而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景

手机主摄再升级!思特威 50MP 传感器 SC575XS 来了

基于思特威全新升级的Lofic HDR® 3.0技术,SC575XS实现了像素性能的全面优化,能够在傍晚、夜间等低光照场景下,为手机摄像头带来更出色的高动态范围效果

纳芯微发布 NSI1150!工规级隔离 CAN 收发器可靠性全面升级

可靠性全面升级,多封装可选,SOWW8支持15mm爬电距离,适配严苛应用需求

东芝发布 SmartMCD 新品!TB9M030FG 重塑车载电机控制

TB9M030FG适用于电动水泵、电动油泵、电动风扇以及电动鼓风机等汽车应用中3相直流无刷电机的无感控制。

从核心到关节架构:揭秘下一代机器人驱动技术

本文将围绕机器人关节技术展开系统性深度分析,全面拆解关节架构的底层复杂性,厘清其对机器人产业发展的核心驱动价值。

功率跃升 1.5 倍!新唐 4.5W 紫色激光器量产,赋能先进封装

紫色 (402 nm) 半导体激光器实现业界顶级光输出功率 4.5 W (较新唐现有产品提升 1.5 倍)