IPM29- SiC_MOS智能功率模块新产品内部集成了新一代N沟道增强型1200V-SiC_MOSFET芯片与与优化的SOI工艺6通道栅极驱动芯片

DMWSH120H90SM4Q 可在最高 1200VDS 范围内安全可靠地运作，其闸极-源极 (Gate-Source) 电压 (Vgs) 为 +15/-4V，且在 15Vgs 时具有 75mΩ (典型值) 的 RDS(ON)规格

104HT系列适用于需要耐受高温的各种应用，包括电动车辆、太阳能、高压仪器、IC测试仪等

碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料，相较于硅（Si），具有更大的介电击穿强度、更快的饱和电子漂移速度和更高的热导率

Yole表示，由于MCU平均售价同比飙升 12%，因此收入预计将增长 2%。虽然 MCU 的平均售价预计今年将达到 0.92 美元的峰值，但在预测中只会小幅下降

电源输入 / 输出滤波电容，主要用于稳定输出，对稳压有利

隔离电源是指在电路中使用隔离变压器或隔离模块，将输入电源与输出电路完全隔离开来。这是为了提供电气安全和保护电路的目的。

TrendForce集邦咨询表示，车用PCB产值成长主力来自电动车渗透率提升，纯电动车（BEV）每车平均PCB价值约为传统燃油车的5~6倍

对于设计人员来说，音频领域的功率转换设计是一个真正的技术挑战，因为峰值负载可能远高于均方根(RMS)功率要求

搭载尖端技术的颜色传感器TCS3530使智能手机摄像头在任何光照条件下，均能呈现出近乎完美的色彩，达到更加自然的图像质量。

电源符号，你是否还傻傻分不清楚？常用电源符号附上！

根据IDC的追踪，得益于客户的长期协议（LTAs）、晶圆代工价格上涨、工艺缩减和工厂扩张，2022年全球晶圆代工市场规模增长了27.9%，创下历史新高。

LAN8670/1/2系列以太网PHY简化了将低速设备连接到标准以太网网络的架构

两款新元件覆盖电压范围为-10至+180 V，额定位移在+160 V处达到，允许的表面温度范围为-40至+160°C

漏极和源极间的浪涌是由各种电感分量和MOSFET寄生电容的谐振引起的

一年的结束通常是回顾和反思的时候。在TechInsights 2021年底发布的功率半导体博客中，我们总结了SiC MOSFET设计的一些最新发展

美光 LPDDR5 是业界首款通过 ISO 26262 ASIL-D 认证的内存。美光内存产品组合符合 JEDEC 标准并通过了汽车级认证，可满足汽车行业对 LPDRAM 的要求，支持功能安全需求。

Neon RD0033具有三重增益模式和10 μm间距像素，并具有高工作温度的电容跨阻放大器（CTIA）前端电路。

电气和电子工程师协会 (IEEE) 已将 802.11bb 添加为基于光的无线通信标准。该标准的发布受到了全球Li-Fi企业的欢迎

新产品在第3代SiC SBD芯片中使用了一种新金属，优化了第2代产品的结势垒肖特基（JBS）结构。