CEA -Leti和英特尔今天宣布了一项联合研究项目，旨在开发 300 毫米晶圆上二维过渡金属二硫化物 (2D TMD) 的层转移技术，目标是将摩尔定律扩展到 2030 年以后

QPQ3509 的 C 波段覆盖范围结合 QPB9850 的高集成度及紧凑设计，使这些器件非常适合于以尺寸和重量为关键指标的 5G 小型蜂窝基站应用

“GND”在一块PCB板上的重要程度，不亚于水对人体的重要程度。怎么画好“GND”会伴随硬件工程师很长一段时间

根据该合作协议，双方在2024年至2030年间的交易额将超过1300亿日元。

这些PCIe 数据包交换器产品，提供更优越的讯号完整性效能，可支持长走线距离并将损耗控制在 <30dB

Harwin将在今年的慕尼黑上海电子展（electronica China）上展示其高性能连接器技术（7月11日至13日，上海，4.1C306展台）

通过使用开关稳压器，可以显著抑制电路的发热量，不仅更节能，还可以减小散热器尺寸，从而能够减小电路规模并设计出低发热的电源电路

本文将回顾晶体管的历史，探讨其未来的发展方向，并分析晶体管基本结构的更新换代，以及最新的Multi-Die系统的应用前景。

全新的256GB、512GB和1TB闪存设备允许智能手机和移动应用程序充分利用5G网络的高速率

IGBT具有栅极、集电极、发射极3个引脚。栅极与MOSFET相同，集电极和发射极与双极晶体管相同

功率半导体包含功率集成电路和功率分离式组件。功率集成电路安装在驱动电路板上，以发送信号控制功率组件/模块进行开关

在 PCB 设计中，有效导热系数是热建模和分析中使用的一个重要参数，有助于工程师根据特定的假设和模型，预测一块摆满器件的 PCB 的导热效果

不稳定的电源是远程和极端环境中设备面临的常见挑战，这可能会严重影响固态驱动器（SSD）的操作

本文介绍Nexperia（安世半导体）如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起，以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。

FCM360W 提供多种接口，包括 UART、SPI、I2C、I2S、ADC 和 PWM，以及多种低功耗模式和长连接保活机制

该款8Mb容量Serial Flash 由华邦电子自有的12寸晶圆厂生产，采用最新一代58nm工艺制造，与采用90nm的前代产品相比，尺寸显著减小

全新OSLON® Optimal Red（红光）涵盖更广泛的光谱范围，促进常见人工照明培育植物种类生长更茁壮

反向电流是指系统输出端的电压高于输入端的电压，导致电流反向流过系统。

该模块降低了内部电感，并集成了第二代SiC芯片，有望帮助实现更高效、更小型、更轻量的工业设备。

今天推出的这四款产品采用极为通用的小型HTSSOP28封装，其表贴面积比东芝当前产品TB67S109AFNG使用的HTSSOP48封装大约小39%