技术 | 电子创新元件网

【科普小贴士】MOSFET的结构和工作原理

我们将参照图3-6（a）来解释MOSFET的工作原理。（1）在漏极为正极的漏极和源极之间施加电压。（漏极-源极电压：VDS）（2）在栅极为正极的栅极和源极之间施加电压。（栅极-源极电压：VGS）（3）其结果是，电子被吸引到栅极绝缘膜下面的p型层上，部分p型层转变为n型区（p型层中的n型区称为“反转层（沟道）”）。（4）当这个反转层完成时，MOSFET漏极到源极将形成n层路径。（n＋⇔n... 阅读详情

2021-11-24 |

【干货分享】6种延时电路原理讲解

众所周知，说到延时，很多人都会想到用软件件来实现，比如定时器之类的。今天就来说说用硬件来实现定时的方式，虽说没有那么准，但是有些场合还是用得到的。今天我们来介绍一下6种延时电路工作原理。 1、精确长延时电路图该电路由CD4060 组成定时器的时基电路，由电路产生的定时时基脉冲，通过内部分频器分频后输出时基信号。在通过外设的分频电路分频，取得所需要的定时控制时间。通电后，... 阅读详情

2021-11-23 |

【科普小贴士】BJT和MOSFET的差异

关于BJT和MOSFET开关操作差异的解释。（1）基极电压升高时，BJT的基极电流开始流动，集电极电流与基极电流成正比。大约从0.7V开始发生电流流动。这个电压被称为基极-发射极阈值电压（VBE）。为了使集电极电流流动，需要提供基极电流，并且需要连续的驱动功率。（需要低驱动电压、连续驱动功率）（2）由于MOSFET根据栅极-源极电压形成一个沟道，这个电压必须是一定的或更高的电压。一旦沟道形成... 阅读详情

2021-11-22 |

理解尖峰电流与PCB布局时的去耦电容

尖峰电流的形成：数字电路输出高电平时从电源拉出的电流Ioh和低电平输出时灌入的电流Iol的大小一般是不同的，即：Iol＞Ioh。以下图的TTL与非门为例说明尖峰电流的形成：输出电压如右图（a）所示，理论上电源电流的波形如右图（b），而实际的电源电流保险如右图（c）。由图（c）可以看出在输出由低电平转换到高电平时电源电流有一个短暂而幅度很大的尖峰。... 阅读详情

2021-11-19 |

电源时序控制的正确方法，你掌握了吗？

我们常常想当然地为印刷电路板上的电路上电，殊不知这可能造成破坏以及有损或无损闩锁状况。随着片上系统(SoC) IC越来越多，对电源进行时序控制和管理的需求也越来越多…… 虽然ADI的数据手册通常会提供足够的信息，指导您针对各IC设计正确的上电序列。然而，某些IC明确要求定义恰当的上电序列。在使用多个电源的IC中，如转换器（包括ADC和DAC）、DSP、音频/视频、射频及许多其它混合信号IC中，... 阅读详情

2021-11-18 |

万万没想到，二极管竟然还可以这样用？

利用二极管的单向导电性可以设计出好玩、实用的电路。本篇将分析限幅电路和钳位电路，是如何用二极管来实现的。限幅电路如下图所示，当在正半周期，并且VIN大于等于0.7V，二极管正向导通。此时，VOUT会被钳位在0.7V上。而当VIN小于0.7V时二极管是截止状态，在负半周期时相当于电流反向，二极管也是截至状态，此时VOUT=VIN，VOUT波形跟随VIN变化。限辐电路示意图... 阅读详情

2021-11-18 |

电源时序规格及控制框图

关键要点・在时序①中，实现了将3个系统的电源按顺序导通、并按相反顺序关断的时序。・在实际设计之前，通过功能块来考虑实现目标工作所需的配置。・时序①是使用3个电源IC、4个Power Good功能和3个Discharge功能实现的。

2021-11-17 |

【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前最受关注的晶体管。 MOSFET有两种类型：N沟道（参见下图3-4（a）N沟道）和P沟道（参见下图3-4（b）P沟道）。 N沟道广泛用于AC／DC电源、DC／DC转换器、逆变器设备等，而P沟道则用于负载开关、高边开关等。双极晶体管和MOSFET之间的差异如表3-1所示。图3-4（a）N沟道MOSFET的符号和操作

2021-11-16 |

保护器件过电应力失效机理和失效现象浅析

半导体元器件在整机应用端的失效主要为各种过应力导致的失效，器件的过应力主要包括工作环境的缓变或者突变引起的过应力，当半导体元器件的工作环境发生变化并产生超出器件最大可承受的应力时，元器件发生失效。应力的种类繁多，如表1，其中过电应力导致的失效相对其它应力更为常见。表1 应力类型、试验方法和失效模式过电应力失效分为芯片级和系统级；在运输、装配和测试中，... 阅读详情

2021-11-16 |

深度揭秘信号孔旁边到底需要几个地过孔

作者：黄刚，文章来源：高速先生大家估计知道一对高速信号孔旁边需要加地过孔，但是要加多少个呢？相信广大粉丝们心里是没底的，别急！高速先生今天帮大家量化出来哈。我们知道，过孔是高速链路中比较难设计和量化的一个结构，它有很多变量都能或多或少影响着过孔的阻抗和损耗，例如下图一样。过孔的孔径、过孔的焊盘、过孔的反焊盘、过孔的残桩甚至包括平面的数量这些都是影响的因素。... 阅读详情

2021-11-16 |

轻负载时开关元件工作相关的注意事项

相移全桥电路中轻负载时流过的电流小，LS中积蓄的能量少，所以很有可能在滞后臂的COSS充放电完成之前就开始开关工作。因此，ZVS工作无法执行，很容易发生MOSFET的导通损耗。另一方面，当超前臂的MOSFET的COSS充放电时，能量通过变压器被输送到二次侧。参考前面的思路，通过能量收支来考虑ZVS的成立条件时，以Mode（2）为例，假设相移全桥电路的变压器的匝比为n，... 阅读详情

2021-11-15 |

【科普小贴士】什么是结型场效应晶体管（JFET）

JFET的操作 JFET：结型场效应晶体管（1）在N沟道结型场效应晶体管（图3-3（a））中，当在漏极和源极之间施加电压时，电子从源极流向漏极。（2）当在栅极和源极之间施加反向偏压时，耗尽层扩大并抑制（1）中的电子流动。（使电子流动的路径变窄）（3）如果栅极和源极之间的反向偏压进一步增加，耗尽层就会阻塞通道，电子流动停止。如上所示，施加在栅极和源极之间的电压控制着漏极和源极之间的状态。... 阅读详情

2021-11-15 |

RFID和NFC之间的那些事儿，你真的了解吗？

本文转载自：贸泽电子我们生活在一个日益无线化的世界，无现金支付或访问控制已经成为常态化。细心的读者可能早已注意到，一些商店的收银台也开始出现“无人化”趋势，比如优衣库、迪卡侬这些大家时常光顾的商店，均已采用自助式结账。在迪卡侬，消费者只需将商品放到“收款台”，几秒钟全部费用即可结清。这些功能的实现主要仰仗在我们生活无处不在的无线电技术，说具体点就是NFC、RFID。为什么这么说呢？... 阅读详情

2021-11-15 |

7种MOSFET栅极电路的常见作用，不看不知道！

MOSFET是一种常见的电压型控制器件，具有开关速度快、高频性能、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、安全工作区域(SOA)宽等一系列的优点，因此被广泛的应用于开关电源、电机控制、电动工具等各行各业。栅极做为MOSFET本身较薄弱的环节，如果电路设计不当，容易造成器件甚至系统的失效，因此发这篇文章将栅极常见的电路整理出来供大家参考讨论，也欢迎大家提出自己的观点。... 阅读详情

2021-11-15 |

如何最大限度减小电源设计中输出电容的数量和尺寸？

电源输出电容一般是100 nF至100 μF的陶瓷电容，它们耗费资金，占用空间，而且，在遇到交付瓶颈的时候还会难以获得。所以，如何最大限度减小输出电容的数量和尺寸，这个问题反复被提及。输出电容造成的影响论及此问题，输出电容的两种影响至关重要：对输出电压纹波的影响，以及在负载瞬变后对输出电压的影响。首先，我们来看一看输出电容这个词。这些电容一般安装在电源的输出端。但是，许多电力负载（... 阅读详情

2021-11-12 |