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元器件越小越好吗？

作者：卓晴，来源：TsinghuaJoking 简介：近期看到Robin Kearey的一篇博文 SMALLER IS SOMETIMES BETTER: WHY ELECTRONIC COMPONENTS ARE SO TINY[1] ，详细分析了电子器件的微型化所带来的影响。如果你还在想疯狂压缩电路体积的话，看看他的分析也许会让你冷静下来。也许在电子领域中能够排在欧姆定律[2] 之后... 阅读详情

2021-12-03 |

高速信号是否需要包地处理

作者：陈虎，来源：凡亿PCB 当我们在做高速PCB设计时，很多工程师都会纠结于包地问题，那么高速信号是否需要包地处理呢？首先，我们要明确为什么要包地？包地的作用是什么？实际上，包地的作用就是为了减小串扰，串扰形成的机理是有害信号从一个线网转移到相邻线网。

2021-12-03 |

【科普小贴士】MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）

（1）SJ-MOS在N层具有柱状P层（P柱层）。P层和N层交替排列。（参见图3-9（b））（2）通过施加VDS，耗尽层在N层中扩展，但其在SJ-MOS中的扩展方式与在一般D-MOS中不同。（关于电场强度，参见图3-9（a）／（b）。电场强度将表示耗尽层的状态。（3）如果是D-MOS的情况，电场强度在P／N层接口处最强。当电场强度超过硅的极限时，会发生击穿现象，这就是电压极限。另一方面，... 阅读详情

2021-12-01 |

电源时序规格：电源导通时的时序工作

文章来源：罗姆半导体集团本文先介绍使用通用电源IC实现电源时序控制电路中，电源导通时的时序工作。电源时序规格①：电源导通时的时序工作

2021-12-01 |

二极管的前世今生

作者：卓晴，文章来源：TsinghuaJoking 简介：这是Steven Dufresne的一篇博文HISTORY OF THE DIODE[1] ，讲解了二极管的简要发展历史。这让我们也认识的，很多的发现都存在着偶然性，往往需要等到很多年之后才能够找到用场。二极管的历史充满着各种偶然发现造就的乐趣，也有的发现直到几十年之后被派上用场。让我们先谈谈两个话题：热电子发射以及半导体二极管... 阅读详情

2021-12-01 |

EMC抗扰度之慢上升沿信号

作者：李义君，来源：韬略科技EMC 在EMC的设计与处理中，工程师们都注重快速变化的信号，因为这些信号的上升沿时间非常短，从频谱分析的角度来说，信号中会有更多的高频谐波，导致EMC设计变得困难。而且，快上升沿信号使反射、串扰、电磁辐射、地弹等问题变得更严重，噪声问题更难于解决。下图为梯形脉冲波形的时域波形和频谱包络线；A=幅度，tr=上升沿时间，τ=平均宽度。... 阅读详情

2021-11-30 |

【科普小贴士】MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案

针对MOSFET的最大问题，我们正采取以下对策：“如何有效利用元件面积以有效降低导通电阻” （1）高电压：下一页将介绍通过先进的超结工艺降低Rdrift电阻。（2）低电压：通过对沟槽结构的精细图形化可最大限度降低Rch电阻，采用薄晶片降低Rsub电阻。图3-8影响MOSFET导通电阻的因素

2021-11-30 |

秒懂晶振以及晶振电路

在单片机中晶振是普遍存在的，那么晶振为什么这么必要，原因就在于单片机能否正常工作的必要条件之一就是时钟电路，所以单片机就很需要晶振，打个比方来说：晶振好比单片机的心脏，如果没有心脏起跳，单片机无法工作，晶振值越大，单片机运行速度越快，有时并不是速度越快越好，对于电子电路而言，速度够用就是最好，速度越快越容易受干扰，可靠性越差！下面小编带你了解整个晶振的原理以及晶振电路的构造。晶振，... 阅读详情

2021-11-29 |

大功率二极管晶闸管知识连载——控制特性

本文转载自：英飞凌工业半导体功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器，UPS，交流静态开关，SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘来自英飞凌《双极性半导体技术信息》。 3.3 晶闸管的控制性质 3.3.1、正门极控制 3.3.1.1、门级电流iG... 阅读详情

2021-11-29 |

教你几种电路分析的高效方法

对电路进行分析的方法很多，如叠加定理、支路分析法、网孔分析法、结点分析法、戴维南和诺顿定理等。根据具体电路及相关条件灵活运用这些方法，对基本电路的分析有重要的意义。现就具体电路采用不同方法进行如下比较。 01支路电流法支路电流法是以支路电流为待求量，利用基尔霍夫两定律列出电路的方程式，从而解出支路电流的一种方法。一支路电流分析步骤 1) 假定各支路电流的参考方向，对选定的回路标出回路绕行方向... 阅读详情

2021-11-29 |

【科普小贴士】MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素

（1）MOSFET器件结构将根据要求的耐受电压来选择。确定导通电阻RDS(ON)的因素如图3-7和方程式3-（1）所示。根据器件的结构，决定导通电阻的因素比例将发生变化。（2）例如，许多中高压MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）结构，而小于200V的产品大多具有沟槽MOS（U-MOS）结构。因此，当耐受电压VDSS＝600V时，Rdrift成为主导因素，... 阅读详情

2021-11-26 |

新半导体技术将提升功率转换效率

本文转载自： UnitedSiC微信公众号摘要功率转换是几乎所有电子器件中的常见元素，有多种拓扑结构。新兴的应用有其独特的要求，这就促使工程师们开发能提供具有最佳性能和效率平衡的交流转直流和直流转直流转换器。然而，这并非总是一个简单任务。选择正确的拓扑结构仅仅是挑战的开始，还必须仔细选择功率组件，而随着新半导体技术进入市场，工程师们有机会发现和评估新解决方案能否解决旧问题。白皮书... 阅读详情

2021-11-26 |

大功率二极管晶闸管知识连载——保护

功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器，UPS，交流静态开关，SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘来自英飞凌《双极性半导体技术信息》。 7.保护晶闸管和二极管必须得到可靠的保护，避免电流和电压过高以及控制电路中的脉冲干扰。 7.1 过压保护总体而言，... 阅读详情

2021-11-25 |

用实验来证明，不同条件下的热阻数值千差万别

本文将会给出实际的热阻数据示例。实际的热阻数据示例通常在IC的技术规格书中都会提供IC热阻相关的信息。但是，所提供的热阻类型和设置可能会因IC的种类（例如用于信号处理的低功耗运算放大器、用于供电的热设计很重要的稳压器等）不同而略有不同。另外，也会因IC制造商而异。下面是500mA输出LDO线性稳压器的技术规格书中提供的热阻信息示例。这款IC有两种封装，因此提供了每种封装（TO263-5... 阅读详情

2021-11-24 |

【科普小贴士】MOSFET的结构和工作原理

我们将参照图3-6（a）来解释MOSFET的工作原理。（1）在漏极为正极的漏极和源极之间施加电压。（漏极-源极电压：VDS）（2）在栅极为正极的栅极和源极之间施加电压。（栅极-源极电压：VGS）（3）其结果是，电子被吸引到栅极绝缘膜下面的p型层上，部分p型层转变为n型区（p型层中的n型区称为“反转层（沟道）”）。（4）当这个反转层完成时，MOSFET漏极到源极将形成n层路径。（n＋⇔n... 阅读详情

2021-11-24 |