跳转到主要内容
Toggle navigation
首页
技术
新闻
视频
下载中心
登录
注册
技术
深入介绍3种拓扑结构:降压、升压和降压-升压
在本篇文章中,我将从不同方面深入介绍降压、升压和降压-升压拓扑结构。
2022-01-07 |
拓扑结构
电路设计中零欧姆电阻的作用
0欧电阻相当于很窄的电流通路,能够有效地限制环路电流,使噪声得到抑制。
2022-01-06 |
电路设计
,
欧姆电阻
确定电容额定电压:如何读懂电容外壳上的“密码”?
我们的Digi-Key工程师经常收到客户这样的问题:如何从没有额定电压标记的铝电解电容上确认它的额定电压?
2022-01-06 |
电容
,
额定电压
有趣的光耦振荡器
本文中的光耦振荡电路则是利用了电流转移系数大于1所带来的电流增益而工作的。通过对PC851、TLP521的电流转移系数的测量,获得了它们电流增益随着工作电流不同变化情况,也验证了光耦震荡电流的工作原理。
2022-01-05 |
光耦
,
电流转移系数
电子学中的百科书-二极管的诞生计
前几篇文章我们讨论了关于,基本半导体和本征半导体的关系以及将本征半导体中掺入,不同的杂质,会出现不一样的物理现象。但仅仅这样好像对电路进步没有太大的作用。如果将这两个杂质半导进行结合呢?
2022-01-05 |
二极管
使用双栅极配置的 SiC FET 进行电路保护
近年来,人们对固态断路器和固态功率控制器的兴趣越来越浓厚。鉴于SiC JFET在高额定电压下具有低开态电阻而且它在需要时进行限流的能力毫不逊色,它们一直被视为此应用的理想器件。我们调查了常关型SiC FET在双栅极结构中的使用情况,以简化大电流直流断路器和交流断路器的开发
2022-01-05 |
电路保护
,
SiC-FET
,
UnitedSiC
,
固态断路器
高速电路中串扰引发的损耗问题
今天给大家分享一个串扰引发损耗变大的问题。这类问题经常出现在小型化的产品、连接器、线缆等产品中。
2022-01-04 |
串扰
,
损耗
几种常见的沟槽结构SiC MOSFET类型
SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道,尽管其工艺复杂,单元一致性比平面结构差。但是,沟槽结构可以增加单元密度,没有JFET效应,寄生电容更小,开关速度快,开关损耗非常低
2022-01-04 |
SiC
用SiC FET固态断路器取代机械断路器可行吗?
机械断路器损耗低,但是速度慢而且会磨损。采用SiC FET的固态断路器可以解决这些问题且其损耗开始降低。
2022-01-04 |
SiC
,
固态断路器
【科普小贴士】MOSFET的性能:电容的特性
Ciss、Crss和Coss的电容特性是影响MOSFET开关特性的重要因素。 Ciss:输入电容(Ciss=Cgd+Cgs) ⇒栅极-漏极和栅极-源极电容之和:它影响延迟时间;Ciss越大,延迟时间越长。 Crss:反向转移电容(Crss=Cgd) ⇒栅极-漏极电容:Crss越大,漏极电流上升特性越差,这不利于MOSFET的损耗。高速驱动需要低电容。 Coss:输出电容(Coss=Cgd+...
阅读详情
2021-12-28 |
详解运算放大器线性应用的三个重点
集成运算放大器是采用一定制造工艺将大量半导体三级管、电阻、电容等元件以及它们之间的连线制作在同一小块单晶硅的芯片上,并具有一定功能的电子电路。 本文重点讲解运算放大器的线性应用,线性应用重点掌握集成运放的传输特性、理想运放的特性,以及基本的同相放大器、反相放大器、加法电路、减法电路、积分电路和微分电路。 1. 运放的传输特性 运算放大器的传输特性曲线如下图: 线性区满足:
2021-12-28 |
利用封装天线技术简化60GHz汽车车内雷达传感器设计
毫米波雷达为汽车和工业应用提供了一种主要的感应方式,即使在恶劣的环境条件下,它也能够远距离、以出色的角度和速度精度检测距离为几厘米至几百米的物体。 典型的雷达传感器包含一个雷达芯片组以及其他电子元件,例如电源管理电路、闪存和接口外设,所有这些都装配在一个印刷电路板(PCB)上。发送天线和接收天线通常也在PCB上实现,但要提高天线性能,则需要使用高频基板材料(例如Rogers RO3003),...
阅读详情
2021-12-24 |
AC/DC转换方法介绍——变压器方式
AC/DC转换有变压器方式和开关方式。本节介绍变压器方式。 变压器方式 这是普通AC/DC转换器的变压器方式电路结构。 变压器方式的电路结构示例 下图显示了变压器方式电压波形的变化。 变压器方法首先需要通过变压器将交流电压降压到适当的交流电压(例如,从AC100V降至AC10V等)。这属于AC/AC转换,降压值由变压器的绕组比设定。 接下来,...
阅读详情
2021-12-24 |
三分钟看懂雪崩光电二极管
雪崩光电二极管是由日本工程师“Jun-ichi Nishizawa”于 1952 年设计的。雪崩光电二极管是一种非常灵敏的半导体探测器,它利用光电效应将光转化为电。 在光纤通信系统中,使用雪崩光电二极管等单个组件将光转换为电信号。在雪崩过程中,电荷载流子是通过碰撞产生的。光粒子状光子会产生许多电子,进而产生电流。 什么是雪崩光电二极管 与其他二极管相比,...
阅读详情
2021-12-24 |
肖特基二极管4大特性,你都知道吗?
前言 肖特基二极管是重要的电子元器件,因为其承载着保护电路的重要作用,所以显得格外的不可或缺,我们都知道在选择肖特基二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。 但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的肖特基二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。知道其特性,对于我们的使用也更加得心应手,...
阅读详情
2021-12-24 |
‹‹
314 中的第 101
››