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为智能硬件开发者、创客提供有关基于英特尔嵌入式处理器的应用技术介绍和合作伙伴方案介绍

第6讲:SiC单晶生长技术

目前比较主流的生长方法有PVT法、液相法以及高温CVD法等,本文带你了解以上三种SiC晶体生长方法及其优缺点。

IGBT 还是 SiC ? 英飞凌新型混合功率器件助力新能源汽车实现高性价比电驱

本文将探讨英飞凌在混合式功率半导体创新技术方面为高效牵引逆变器在效率、成本和可持续性之间寻找更好的平衡点。

电机驱动创新,如何解决机器人运动控制中的设计挑战?

机器人中使用的电机有多种类型,包括直流电机、伺服电机和步进电机等,每种电机都具有独特的功能,适用于各种应用。

选择LDO时的主要考虑因素和挑战

在选择LDO之前,明确定义IC设计的具体要求非常重要。需要考虑电压调节需求、电源效率、噪声敏感度和物理约束等因素。

智能无处不在,用UFS 4.0给手机AI加速

通过UFS 4.0,智能手机在执行AI任务时能够以更低的延迟和更高的效率处理数据,这不仅改善了用户体验,还为更加复杂和多样化的AI应用场景提供了可能。

更高额定电流的第8代LV100 IGBT模块

本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块,该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管

一篇文章 摸透6种触摸传感器的特性与优势

本文概述了多种触摸传感器的类型及其产品特性,包括工作原理、灵敏度、精确度、适用场景等。

器件封装类型:选择标准

电子产品的形状和尺寸多种多样,用于实现其功能的器件也是如此。起初,设计人员可能无法独自区分产品规格单上的不同器件封装类型,尤其是在参数没有区别的情况下

两张图说清楚共射极放大器为什么需要发射极电阻

本文首先介绍了一个典型的共射极放大器,然后探讨了发射极旁路电容器的工作原理。我们将研究电容器对增益、失真和频率响应的影响

“环抱”晶体管与“三明治”布线

今天,我们将介绍英特尔的两项突破性技术:RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术