技术

本文将探讨如何选择适合的TVS和TSS器件，为系统设计提供可靠的解决方案。

本文讨论两种常见保护电路，以及这些电路的实施会如何影响电流检测放大器的精度。

小信号 RF 放大器的设计可以采用共基极、共发射极或共集电极配置。本文将重点介绍共基极小信号 RF 放大器设计

探讨了人工智能（AI）的普及给嵌入式设计人员带来的新挑战。在创建“边缘机器学习（ML）”应用时，设计人员必须确保其能有效运行，同时最大限度地降低处理器和存储开销

本文将指出这些基础。它给出了一个理想的一阶低通RC滤波器的仿真结果，然后总结了学生可能遇到的危险。

本文将深入研究这些多样化的ADAS解决方案，同时探讨Murata (村田制作所) 提供支持这些技术进步的相关解决方案。

精度、分辨率和重复性是衡量传感器性能指标的关键参数。本文将以温度传感器为例进行深入探讨。

在本文中，我们将重点介绍每种封装类型的一些特性以及它们满足哪些应用要求。

IGBT和MOSFET有类似的器件结构，MOS中的漏极D相当于IGBT的集电极C，而MOS的源极S相当于IGBT的发射极E

本文旨在解决DC-DC开关稳压器的功率级设计中面临的复杂难题，重点关注功率晶体管和自举电容。