技术

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率

本文介绍了寄生FET振荡的理论，通过工作台实验验证了Colpitts模型，在演示板上再现了振荡问题，并使用大家熟悉的解决方案解决了该问题

本文旨在回顾这种网络技术的演变，并解释消费以太网和工业以太网的区别。

未来随着数据传输速率和接口带宽的迅猛提升，电源完整性（Power Integrity）成为了保障产品稳定运行的重中之重。

本文描述了设计MCU和ADC之间的高速串行外设接口(SPI)关于数据事务处理驱动程序的流程，并简要介绍了优化SPI驱动程序的不同方法及其ADC与MCU配置

本文将分享电隔离栅极驱动器的隔离能力评估 ，并介绍其典型的应用市场与安森美可提供的高新能产品选型。

目前应用较多的SiC外延生长方法是化学气相沉积（CVD），本文简要介绍其生产过程及注意事项。

说起电容的作用，很多电子人脱口而出：滤波。没错，这是大部分电容在电路中的作用，但有一种电容生而不是为了滤波，那就是超级电容

本文探讨了汽车电力应用中开关电源的开关频率如何确定，以及高开关频率对电磁兼容性（EMC）的影响。

在本文中，我们详细描述了优化过程的关键组件，并对开发过程中的重点进行了评述。