肖特基势垒二极管

东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员,其将助力工业电源设备实现高效率

东芝最新推出第3代碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品,为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗

东芝推出第3代650V SiC肖特基势垒二极管,助力提高工业设备效率

新产品在第3代SiC SBD芯片中使用了一种新金属,优化了第2代产品的结势垒肖特基(JBS)结构。

东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET

该晶体管将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成方格状(方格状嵌入式SBD),以实现低导通电阻和高可靠性。