功率器件热设计基础(十三)——使用热系数Ψth(j-top)获取结温信息
judy -- 周二, 01/21/2025 - 14:51
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计
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功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率
结构函数为热设计提供了重要的参考数据。通过分析结构函数,热设计人员可以了解器件在不同条件下的热学性能
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计
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功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。
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本文介绍了热容的概念,提出了瞬态的热特性,并对比了不同封装的瞬态热阻
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