功率器件热设计基础(七)——热等效模型
judy -- 周二, 12/03/2024 - 10:32功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。
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本文介绍了热容的概念,提出了瞬态的热特性,并对比了不同封装的瞬态热阻
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计
上海贝岭推出针对电动轻便摩托车控制器的新产品BLP04N11,该器件针对电摩控制器应用特点,优化器件击穿电压和降低开关及导通损耗
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计
功率器件热设计基础系列文章将比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率
三菱电机从事功率半导体开发和生产已有六十多年的历史,从早期的二极管、晶闸管,到MOSFET、IGBT和SiC器件
由于功率模块的设计和几何形状可以实现 EMI 建模,从而使设计人员能够在设计流程的早期预测和了解其系统中的 EMI 反应。