提升开关频率(一) 芯导科技MOSFET工艺结构的发展与演进 judy / 周一, 12 一月 2026 - 17:27 在手机快充、新能源汽车电驱、光伏逆变器等电力电子设备中,藏着一个关键“电子开关”——功率MOSFET。它的核心使命是快速控制电流的通断 阅读更多 关于 提升开关频率(一) 芯导科技MOSFET工艺结构的发展与演进登录 发表评论
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识 judy / 周二, 7 二月 2023 - 11:47 高频高效是开关电源及电力电子系统发展的趋势,高频工作导致功率元件开关损耗增加,因此要使用软开关技术,保证在高频工作状态下,减小功率元件开关损耗,提高系统效率。 阅读更多 关于 功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识登录 发表评论
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET judy / 周五, 3 二月 2023 - 10:55 源极引脚采用多针结构,与现有的TO-220SM(W)封装相比,封装电阻下降大约30%,从而将XPQR3004PB的漏极额定电流(DC)提高到400A,高出当前产品1.6倍 阅读更多 关于 东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET登录 发表评论
东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET,助力提升AI数据中心的效率 judy / 周二, 30 六月 2026 - 14:33 TPM1R408RH采用优化的器件结构,实现了1.4mΩ(最大值)的漏源导通电阻,与采用上一代U-MOS X-H工艺制造的东芝80V产品“TPM1R908QM”相比降低约26% 阅读更多 关于 东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET,助力提升AI数据中心的效率登录 发表评论