DMWSH120H90SM4Q 可在最高 1200VDS 范围内安全可靠地运作，其闸极-源极 (Gate-Source) 电压 (Vgs) 为 +15/-4V，且在 15Vgs 时具有 75mΩ (典型值) 的 RDS(ON)规格
AS333Q 使用截波稳定的低输入失调电压 (VOS = 8µV)，温度漂移几乎为零 (0.02µV/°C)，能够在整个共模 (Common-Mode) 输入电压范围内保持高精确度。
这些装置的零点漂移核心 (典型值 ±100nV/°C) 具有低补偿电压 (±30μV) 和增益误差 (±0.5% 和 ±0.8%)，可实现分流器的电流感测功能
这些PCIe 数据包交换器产品，提供更优越的讯号完整性效能，可支持长走线距离并将损耗控制在 <30dB
这款 MOSFET 的 RDS(ON) (典型值) 很低，仅 80mΩ (对于 15V 的闸极驱动)，能将传导耗损降至最低，并提高效率
D3V3Z1BD2CSP 可用于保护 I/O 接口，如 USB Type-C®、DisplayPort™、HDMI™ 和 SD 卡，承载的高速数据传输速率达 20Gbps。
Diodes推出 AP7387Q 低压差 (LDO) 线性稳压器。此装置可提供 150mA 的最大输出电流，具有 5V 至 60V 的宽广输入电压
PI3DBS16222Q 符合汽车规格，能够以 20Gbps 的速度执行 2x2 差分多任务作业，同时支持USB 3.2 Gen 2、PCI Express 4.0和10GBASE-KR标准。
PAM8906 具备集成式同步升压转换器，提供更高声压级 (SPL)，使声音传到更远的距离。这款驱动器还集成能延长电池供电运作的功能。
AP66200Q 与 AP66300Q 的低静态电流 (IQ) 为 40μA，满足与许多汽车产品应用相关的 <100µA 待机要求。它们可以轻松将配置为在脉冲频率调变 (PFM) 或脉冲宽度调变 (PWM) 模式下运作。