AL8853AQ 的宽输入范围 (6V 至 40V) 支持典型的 12V 车辆电池电压输入。200mV 反馈参考电压具有 ±3% 的容差，可提高效率同时保持严格的亮度控制
AP7179D 在电源、负载与温度拥有 ±1% 输出精确度。本器件在 3A 负载电流下的(最大) 180mV 压差支持宽电压转换范围
这些器件在 1.85V 下仅需 1.1μA 的超低供电电流，在 1.6V 至 5.5V 下仅需 1.6μA 的超低供电电流
AH171xQ 系列装置可用于无刷直流 (BLDC) 马达换向(Commutation)速度测量、角度或线性编码器以及位置传感器，贴合汽车和工业产品应用的严苛要求
DMWSH120H90SM4Q 可在最高 1200VDS 范围内安全可靠地运作，其闸极-源极 (Gate-Source) 电压 (Vgs) 为 +15/-4V，且在 15Vgs 时具有 75mΩ (典型值) 的 RDS(ON)规格
AS333Q 使用截波稳定的低输入失调电压 (VOS = 8µV)，温度漂移几乎为零 (0.02µV/°C)，能够在整个共模 (Common-Mode) 输入电压范围内保持高精确度。
这些装置的零点漂移核心 (典型值 ±100nV/°C) 具有低补偿电压 (±30μV) 和增益误差 (±0.5% 和 ±0.8%)，可实现分流器的电流感测功能
这些PCIe 数据包交换器产品，提供更优越的讯号完整性效能，可支持长走线距离并将损耗控制在 <30dB
这款 MOSFET 的 RDS(ON) (典型值) 很低，仅 80mΩ (对于 15V 的闸极驱动)，能将传导耗损降至最低，并提高效率
D3V3Z1BD2CSP 可用于保护 I/O 接口，如 USB Type-C®、DisplayPort™、HDMI™ 和 SD 卡，承载的高速数据传输速率达 20Gbps。