技术

本文深入探讨了四开关降压-升压GaNFET控制，但其原理同样适用于简单的降压或升压控制器。

英飞凌MOTIX™ MCU专为实现一系列电机控制应用的机电电机控制解决方案而设计，在这些应用中，小尺寸封装和最少数量的外部组件是必不可少的

功率器件热设计基础系列文章将比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率

本文介绍了寄生FET振荡的理论，通过工作台实验验证了Colpitts模型，在演示板上再现了振荡问题，并使用大家熟悉的解决方案解决了该问题

本文旨在回顾这种网络技术的演变，并解释消费以太网和工业以太网的区别。

未来随着数据传输速率和接口带宽的迅猛提升，电源完整性（Power Integrity）成为了保障产品稳定运行的重中之重。

本文描述了设计MCU和ADC之间的高速串行外设接口(SPI)关于数据事务处理驱动程序的流程，并简要介绍了优化SPI驱动程序的不同方法及其ADC与MCU配置

本文将分享电隔离栅极驱动器的隔离能力评估 ，并介绍其典型的应用市场与安森美可提供的高新能产品选型。

目前应用较多的SiC外延生长方法是化学气相沉积（CVD），本文简要介绍其生产过程及注意事项。