功率器件热设计基础（四）——功率半导体芯片温度和测试方法
judy -- 周四, 11/14/2024 - 10:55
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计
为智能硬件开发者、创客提供有关基于英特尔嵌入式处理器的应用技术介绍和合作伙伴方案介绍
技术
提高下一代DRAM器件的寄生电容性能
judy -- 周二, 11/12/2024 - 16:10
随着传统DRAM器件的持续缩小，较小尺寸下寄生电容的增加可能会对器件性能产生负面影响，未来可能需要新的DRAM结构来降低总电容
射频全差分放大器（FDA）如何增强测试系统？射频采样模数转换器（ADC）来帮忙！
judy -- 周二, 11/12/2024 - 10:39
在本文中，我们将讨论这些缺点，并说明射频全差分放大器（FDA）如何帮助您更大限度提高射频采样 ADC 的性能。
射频 FDA 如何使用射频采样 ADC 来增强测试系统
judy -- 周一, 11/11/2024 - 16:00
在本文中，我们将讨论这些缺点，并说明射频全差分放大器 (FDA) 如何帮助您更大限度提高射频采样 ADC 的性能。
第9讲：SiC的加工工艺（1）离子注入
judy -- 周一, 11/11/2024 - 15:50
离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入，可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。
集成开关控制器如何提升系统能效？
judy -- 周一, 11/11/2024 - 11:48
近年来，高度依赖在线资源的混合办公模式加速普及，电子系统成为了必不可少的工具，效率的重要性愈发凸显
在更宽带宽应用中使用零漂移放大器的注意事项
judy -- 周五, 11/08/2024 - 11:01
零漂移运算放大器使用斩波、自稳零或这两种技术的结合来消除不需要的低频误差源，例如失调和1/f噪声
车载充电器材料选择比较：碳化硅与IGBT
judy -- 周四, 11/07/2024 - 11:22
车载充电器 (OBC) 解决了电动汽车 (EV) 的一个重要问题。它们将来自电网的交流电转换为适合电池充电的直流电，从而实现电动汽车充电
一文解读48V-12V DC-DC 转换器核心技术
judy -- 周三, 11/06/2024 - 15:27
本文为“48V-12V DC-DC 转换器”系统解决方案指南的第一部分，将介绍系统目标、市场信息及展望、系统描述。
功率器件热设计基础（三）——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法
judy -- 周三, 11/06/2024 - 11:15
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计