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大功率二极管晶闸管知识连载——控制特性

本文转载自:英飞凌工业半导体

教你几种电路分析的高效方法

对电路进行分析的方法很多,如叠加定理、支路分析法、网孔分析法、结点分析法、戴维南和诺顿定理等。根据具体电路及相关条件灵活运用这些方法,对基本电路的分析有重要的意义。现就具体电路采用不同方法进行如下比较。

01支路电流法

支路电流法是以支路电流为待求量,利用基尔霍夫两定律列出电路的方程式,从而解出支路电流的一种方法。

【科普小贴士】MOSFET性能改进:RDS(ON)的决定因素

(1)MOSFET器件结构将根据要求的耐受电压来选择。确定导通电阻RDS(ON)的因素如图3-7和方程式3-(1)所示。根据器件的结构,决定导通电阻的因素比例将发生变化。

新半导体技术将提升功率转换效率

本文转载自: UnitedSiC微信公众号

摘要

大功率二极管晶闸管知识连载——保护

功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器,UPS,交流静态开关,SVC和电解氢等场合,但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解,为此我们组织了6篇连载,包括正向特性,动态特性,控制特性,保护以及损耗与热特性。内容摘来自英飞凌《双极性半导体技术信息》。

7.保护

用实验来证明,不同条件下的热阻数值千差万别

本文将会给出实际的热阻数据示例。

实际的热阻数据示例

通常在IC的技术规格书中都会提供IC热阻相关的信息。但是,所提供的热阻类型和设置可能会因IC的种类(例如用于信号处理的低功耗运算放大器、用于供电的热设计很重要的稳压器等)不同而略有不同。另外,也会因IC制造商而异。

【科普小贴士】MOSFET的结构和工作原理

我们将参照图3-6(a)来解释MOSFET的工作原理。
(1)在漏极为正极的漏极和源极之间施加电压。(漏极-源极电压:VDS)
(2)在栅极为正极的栅极和源极之间施加电压。(栅极-源极电压:VGS)
(3)其结果是,电子被吸引到栅极绝缘膜下面的p型层上,部分p型层转变为n型区(p型层中的n型区称为“反转层(沟道)”)。

【干货分享】6种延时电路原理讲解

众所周知,说到延时,很多人都会想到用软件件来实现,比如定时器之类的。今天就来说说用硬件来实现定时的方式,虽说没有那么准,但是有些场合还是用得到的。今天我们来介绍一下6种延时电路工作原理。

1、 精确长延时电路图

【科普小贴士】BJT和MOSFET的差异

关于BJT和MOSFET开关操作差异的解释。

(1)基极电压升高时,BJT的基极电流开始流动,集电极电流与基极电流成正比。大约从0.7V开始发生电流流动。这个电压被称为基极-发射极阈值电压(VBE)。为了使集电极电流流动,需要提供基极电流,并且需要连续的驱动功率。(需要低驱动电压、连续驱动功率)

理解尖峰电流与PCB布局时的去耦电容

尖峰电流的形成:

数字电路输出高电平时从电源拉出的电流Ioh和低电平输出时灌入的电流Iol的大小一般是不同的,即:Iol>Ioh。以下图的TTL与非门为例说明尖峰电流的形成: