如何选取SiC MOSFET的Vgs门极电压及其影响
judy -- 周一, 06/06/2022 - 10:59
在IGBT时代,门极电压的选择比较统一,无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域,还未有约定俗成的门极电压规范。本文就SiC MOSFET的门极电压选择上的困惑,提供些有用的参考。
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在IGBT时代,门极电压的选择比较统一,无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域,还未有约定俗成的门极电压规范。本文就SiC MOSFET的门极电压选择上的困惑,提供些有用的参考。
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