技术

本章将探讨如何将氮化镓 (GaN) 用于现有的和新的军事、航天和商业应用中。随着技术进步，GaN 越来越受工程师的青睐。在本章，我们将深入了解 GaN 有望处于领先地位的一些新应用和行业。

根据Buck电路的几个工作阶段，我们分别讨论MOSFET的损耗

您的第一辆汽车也许就像我的一样，缺少摄像头、雷达和激光雷达等传感器模块，而正是这些模块使得现代高级驾驶辅助系统 (ADAS) 的安全特性（如盲点检测、泊车辅助和防撞）成为可能。

本文介绍微控制器的五要素

啸叫是指听到来自PCB板的类似“叽”或“吱”声音的现象。例如，听说有的便携设备用的廉价充电器发出相当大的啸叫音。

PE42545 单刀四掷开关采用倒装芯片形式，最高可支持67 GHz，PE42525 单刀双掷开关最高可支持60 GHz。PE42546 单刀四掷开关采用小型3 x 3mm LGA 封装设计，最高可支持45 GHz频率。

本章将深入探讨氮化镓 (GaN) 技术 ：其属性、优点、不同制造工艺以及最新进展。这种更深入的探讨有助于我们了解 ：为什么 GaN 能够在当今这个技术驱动的环境下发挥越来越重要的作用。

本文针对QC／T-1067-2017标准带来全面解析。

当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。

本文是有关先进驾驶辅助系统(ADAS)的发展历史系列文章的第一部分。本系列由多个部分组成，将回顾各种不同系统的说明。