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上桥 SmartFET 因其易于使用和高水平的保护而越来越受欢迎。与标准 MOSFET 一样，SmartFET 非常适合各种汽车应用。它们的区别在于内置在上桥 SmartFET 器件中的控制电路。

IGBT主要用于电机驱动和各类变流器，IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一，短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。

本文将详细阐述在 PCB 设计中管理高密过孔的需求，以及如何实现这一需求。

本文将针对具有驱动器源极引脚的TO-247-4L封装SiC MOSFET在桥式结构情况下的栅-源电压的行为，分LS侧（低边）MOSFET导通时和关断时两种情况用2个篇幅分别进行介绍。

在通用变频器或伺服驱动器的设计中，经常会用到英飞凌的PIM模块。一般情况下PIM模块中的整流二极管都是根据后面逆变IGBT的电流等级来合理配置的

晶体、谐振器、振荡器；这些可以旋转吗？

随着半导体技术的高速发展，现今电子产品工作频率越来越高，这种增加的频率会导致信号边缘响应更加陡峭。并且由于电路板设计得越来越紧凑，布线越来越密，导致串扰问题也在日益激增。

功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而，越熟悉越容易大意。从统计的角度来看，单个MOSFET不太可能被静电放电损坏。然而，在处理成千上万个MOSFET时，极小的故障都可能带来极大的影响。

在开关电源中，稳定直流信号中交流纹波的叠加通常都是工程师苦恼的问题，那么我们如何来减小和抑制纹波噪声呢？

高密度互连 (HDI) 需求主要来自于芯片供应商。最初的球栅阵列封装 (BGA) 支持常规过孔。渐渐地，引脚变得更加密集。1.27 毫米的间距变成了 1 毫米，然后是 0.8 毫米，再到 0.65 毫米的中心距。