整流器

这些器件薄至0.88 mm并采用易于吸附焊锡的侧边焊盘，在节省空间的同时，提供了更高的热性能和效率

器件Qrr低至105 nC，VF为1.10 V，在降低开关损耗的同时，可降低寄生电容并缩短恢复时间

本文将介绍一些常见的三相拓扑结构并讨论它们的优缺点。

650 V、20 A碳化硅整流器模块适用于3 kW至11 kW功率堆栈设计的高频电源应用，以满足工业电源、EV充电站和板载充电器等应用的需要。

节省空间型器件采用小型FlatPAK 5 x 6封装，内置3 A，600 V标准整流器和200 W TRANSZORB® TVS

器件厚度仅为0.88 mm，有效节省空间，采用易于吸附焊锡的侧边焊盘封装，可改善热性能并提高效率

该款200 V器件厚度仅为0.88 mm，采用易于吸附焊锡的侧边焊盘封装，可改善热性能并提高效率

12 A 和 15 A 器件有X 型和新的W型两种速度类型，Qrr 低至 75 nC，经过改进的 Erec 提高了效率

整流器有X型Hyperfast和H型Ultrafast两种速度类型。H型整流器的优点是导通损耗低，X型整流器的优势在于恢复速度快。器件工作温度达+175 °C。

Vishay Semiconductors整流器新款240 A、300 A、480 A和 600 A具有出色导通和开关损耗特性，能有效提高中频功率转换器以及软硬开关或谐振电路的效率。