Vishay推出采用eSMP®系列SMF封装的全新1 A和2 A Gen 7 1200 V FRED Pt®超快恢复整流器
judy -- 周二, 11/26/2024 - 11:11
器件Qrr低至105 nC,VF为1.10 V,在降低开关损耗的同时,可降低寄生电容并缩短恢复时间
器件Qrr低至105 nC,VF为1.10 V,在降低开关损耗的同时,可降低寄生电容并缩短恢复时间
本文将介绍一些常见的三相拓扑结构并讨论它们的优缺点。
650 V、20 A碳化硅整流器模块适用于3 kW至11 kW功率堆栈设计的高频电源应用,以满足工业电源、EV充电站和板载充电器等应用的需要。
节省空间型器件采用小型FlatPAK 5 x 6封装,内置3 A,600 V标准整流器和200 W TRANSZORB® TVS
器件厚度仅为0.88 mm,有效节省空间,采用易于吸附焊锡的侧边焊盘封装,可改善热性能并提高效率
该款200 V器件厚度仅为0.88 mm,采用易于吸附焊锡的侧边焊盘封装,可改善热性能并提高效率
12 A 和 15 A 器件有X 型和新的W型两种速度类型,Qrr 低至 75 nC,经过改进的 Erec 提高了效率
整流器有X型Hyperfast和H型Ultrafast两种速度类型。H型整流器的优点是导通损耗低,X型整流器的优势在于恢复速度快。器件工作温度达+175 °C。
Vishay Semiconductors整流器新款240 A、300 A、480 A和 600 A具有出色导通和开关损耗特性,能有效提高中频功率转换器以及软硬开关或谐振电路的效率。
SDT4U40EP3 是业界最小的 4A 沟槽萧特基整流器,史无前例地采用了 1608 封装规格。相较于它牌装置,可节省 90% 的 PCB 面积。具备 800A/cm2 的电流密度