开关电源的功耗包括由半导体开关、磁性元件和布线等的寄生电阻所产生的固定损耗以及进行开关操作时的开关损耗。对于固定损耗，由于它主要取决于元件自身的特性，因此需要通过元件技术的改进来予以抑制。在磁性元件方面，对于兼顾了集肤效应和邻近导线效应的低损耗绕线方法的研究由来已久。为了降低源自变压器漏感的开关浪涌所引起的开关损耗，开发出了具有浪涌能量再生功能的缓冲电路等新型电路技术。

电子设备的电子信号和处理器的频率不断提升，电子系统已是一个包含多种元器件和许多分系统的复杂设备。高密和高速会令系统的辐射加重，而低压和高灵敏度 会使系统的抗扰度降低。

因此，电磁干扰（EMI）实在是威胁着电子设备的安全性、可靠性和稳定性。我们在设计电子产品时，PCB板的设计对解决EMI问题至关重要。

接通电气设备电源时，在接通瞬间可能会流过远远超过稳定电流的大电流。这种电流称为突入电流(Rush current)。
为什么会产生突入电流呢？原因有多个，下面就来举例进行说明。 

  在做高速电路设计的时候，为什么要有那么多去耦电容？到底什么是去耦？到底需要多大的去耦电容呢？为什么是很多个小电容并联而不是用一个大电容（值是一样大的啊）？为什么说小电容要靠近电源管脚而大电容可以远一些？这里的这些问题，涉及到很多信号完整性问题。

1.什么是去耦？

受市场发展潮流所驱动，2017~2023年期间，超越摩尔（More than Moore）应用的晶圆需求将获得约10%的复合年增长率。

市场发展潮流：超越摩尔应用的晶圆市场演进的核心因素

常用的是石英晶体的厚度切变模式，也就是说晶体振荡频率主要与晶片厚度有关系。晶体振荡的时候不是单一频率，而是有谐波分量的，这个说法不一定准确，但是可以这样理解。但是由于本身的性质，偶次谐波自身抵消掉了，所以反应出来的只有奇数次。比如基频10M的晶体，震荡起来以后，实际上还有30M，50M，70M等频率的信号，不是绝对的倍数关系。

什么是通频带？

1. 与引脚元件不同的是，片状元件由于直接贴装于基片上，因此易受弯曲应力影响。而且它们对机械及热应力比引脚元件更敏感。焊接圆角过高会加大此类应力，从而导致元件破损。因此在设计基片时，请考虑焊盘布局及尺寸，以免焊接圆角偏高。

村田对独石陶瓷电容器的MSL评价为等级1。但由于MSL是以回流焊接类产品为对象的，因此带有引线的波峰焊接专用品均在对象范围以外。

在电子电路中，VCC是电路的供电电压, VDD是芯片的工作电压：

VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压， D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压，在普通的电子电路中，一般Vcc>Vdd !  VSS：S=series 表示公共连接的意思，也就是负极。