如何通过集成式有源EMI滤波器降低EMI并缩小电源尺寸

从事低电磁干扰(EMI)应用的设计工程师在进行设计时通常面临着两大挑战:即如何在降低设计中电磁干扰的同时,缩小方案的体积。前端无源滤波可减少开关电源产生的传导性EMI,从而确保符合传导性EMI标准,但这种方法可能与增加低EMI设计的功率密度的要求相矛盾,特别是考虑到更高的开关速度对整体EMI信号的不利影响。这些无源滤波器往往体积庞大,可占电源方案总体积的30%。

智能功率计的电流传感器类型

作者:Barley Li,来源:Digikey

英飞凌EiceDRIVER™ X3 Enhanced和X3 Compact栅极驱动器系列推出增强型隔离产品

近日,英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步壮大了其易于设计使用的EiceDRIVER™ X3 Compact(1ED31xx)、高灵活性的EiceDRIVER X3 Enhanced模拟(1ED34xx)和数字(1ED38xx)栅极驱动器系列,分别推出了增强型隔离产品,旨在提升应用安全性和延长使用寿命。

科锐携手高斯宝,为服务器电源市场带来SiC解决方案

SiC 基器件支持下一代数据中心,设计满足快速演进的存储环境的需求

科锐Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布,与深圳市高斯宝电气技术有限公司(品牌:Gospower)成功合作。

Maxim推出高精度关键应用的Continua调节器

MAX38889的效率比竞争方案高9个百分点,而尺寸仅为三分之一,助力工业、资产追踪、汽车和医疗健康应用革新

贸泽电子与PANJIT签订全球分销协议

贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与PANJIT签订全球分销协议。PANJIT是一家成立于1986年的分立式半导体制造商。

什么是栅极-源极电压产生的浪涌?

MOSFET和IGBT等功率半导体作为开关元件已被广泛应用于各种电源应用和电力线路中。其中,SiC MOSFET在近年来的应用速度与日俱增,它的工作速度非常快,以至于开关时的电压和电流的变化已经无法忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压,当SiC MOSFET本身的电压和电流发生变化时,可能会发生意想不到的正浪涌或负浪涌,需要对此采取对策。

ROHM开设支持汽车“功能安全”设计的特设网页

汇集约1000种“ComfySIL”品牌的产品,大大提高可搜索性

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)将支持汽车“功能安全”的产品冠以“ComfySIL”品牌名称,并开设了汇集相关产品的特设网页。该网页提高了产品和各种文档的可搜索性,有助于提升汽车领域电子电路设计者和系统设计者的工作效率。

【收藏】进口元器件的完整型号说明

在选型设计过程中如果不是对元器件非常熟悉容易搞错器件。完整的器件型号,一般都是包括主体型号、前缀、后缀等组成。一般工程师只关心前缀和主体型号,而会忽略后缀,甚至少数工程师连前缀都会忽略。当然,并不是所有器件一定有前缀和后缀,但是,只要这个器件有前缀和后缀,就不可以忽略。

Microchip抗辐射MOSFET获得商业和军用卫星及航空电源解决方案认证

M6™MRH25N12U3硅晶体管可以承受极端的太空环境,增强电源电路可靠性