来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如穿透元器件内部薄的绝缘层;损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极;CMOS器件中的触发器锁死;短路反偏的PN结;短路正向偏置的PN结;熔化有源器件内部的焊接线或铝线。为了消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏,需要采取多种技术手段进行防范。

Murata BBEC硅电容器采用0201M封装，具有高达40GHz的超宽带性能，占位面积为0.60 mm x 0.30 mm（长x宽）。此电容器无谐振，可实现极低的群时延变化。可靠性强，而且电容值在整个温度、电压和老化条件下具有很高的稳定性。其他特性包括超低插入损耗以及旁路接地模式下的低ESL和低ESR。

如果您有用运动传感器来帮助保护自己的房屋安全，或者使用靠近门时会自动打开的门，那么您已经对智能传感器有所了解。

智能传感器已经存在了一段时间，但是随着物联网设备的指数级增长，这些传感器也有所增长。智能传感器用于不同行业的各种应用中，可以使事情变得更高效，更轻松。

但是什么是智能传感器呢？

Murata UBDC硅电容器采用0402M封装，占位面积为1mm x 0.50mm（长x宽），具有高达67GHz的超宽带性能。这些模块无谐振，可实现极低的群时延变化。它们具有超低插入损耗，这得益于传输模式下的阻抗匹配以及旁路接地模式下的低等效串联电感 (ESL) 和低等效串联电阻 (ESR)。UBDC系列可靠性强，而且电容值在整个温度、电压和老化条件下具有很高的稳定性。

作为使用电感的降噪对策之一，本文将介绍使用共模滤波器降噪的内容。从严格意义上讲，共模滤波器并不是电感器，而是磁性器件，是降噪对策中的重要部件。

共模滤波器

作者：Walter N. Maclay, 总裁, Voler Systems，文章转载自：Digi-Key

Murata ULEC硅电容器具有高达20GHz的高频性能，适用于宽带应用。该器件采用0201M封装，尺寸为0.60mm x 0.30mm（长x宽）。ULEC系列无谐振，可实现超组延迟变化，在旁路接地模式下具有低ESL和低ESR。其他特性包括超低插入损耗、高可靠性以及在整个温度、电压和老化范围内电容值的高稳定性。Murata ULEC硅电容器与标准引线接合组件（球形和楔形）和嵌入兼容。

之前，我们为读者介绍了第四代磁传感器——隧穿磁阻（TMR）的技术特点、应用领域、以及市场现状。

由株式会社村田制作所100％出资的子公司埼玉村田制作所（原东光株式会社）将变更4家生产子公司的名称。