DZDH0401DW 控制器驱动 P 信道 MOSFET 来仿真理想二极管，在高达 40V 的系统中提供阻断反向电流所需的高侧导轨绝缘。

目前，可穿戴智能手表手环产品用户所关心的众多问题中，电池续航问题排在所有问题的首位，功耗是一个系统级的问题。为了更好的满足可穿戴产品超低功耗的需求，微源半导体近期发布了一款专门针对可穿戴设备低功耗应用需求的LDO – LP3991。

这两款器件均采用超薄的InSOP™-24封装。相较于分立方案设计，这种高集成度的高效架构无需使用散热片，并且可减少高达40%的元件数量。

3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD）扩大了设计人员对交通、能源和工业系统中的高压电力电子产品的选择范围

近日，安富利发布了一项针对全球工程师的调查，以调查工程师如何应对全球芯片短缺、更长的交货时间以及工程师的设计选款和应用，发生哪些改变。

该系列模块特别适用于恶劣的电气环境如EV充电器，具有OVC III过压等级，可在海拔2000m运行，工作温度范围为-40至+90°C。

新型µPOL直流-直流转换器系列可在-40 ℃~125 ℃的宽结温范围内运行，并具有每立方英寸1000 A以上的高电流密度。

关于IGBT／MOSFET预驱动器，相信做电机驱动或者大功率设备驱动的工程师都会有所了解，所谓预驱动器，其实就是将微控制器与IGBT／MOSFET隔离开来，为负载及驱动器提供保护

本章将深入探讨氮化镓 (GaN) 技术 ：其属性、优点、不同制造工艺以及最新进展。这种更深入的探讨有助于我们了解 ：为什么 GaN 能够在当今这个技术驱动的环境下发挥越来越重要的作用。

为了精准聚焦工业测量领域，公司推出高可靠性、低功耗Sigma-Delta ADC CS1238DME芯片，通过可编程增益放大器（PGA），有效分辨率可达20.7位（PGA=128），增益误差8ppm。