SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。但是，沟槽结构可以增加单元密度，没有JFET效应，寄生电容更小，开关速度快，开关损耗非常低

机械断路器损耗低，但是速度慢而且会磨损。采用SiC FET的固态断路器可以解决这些问题且其损耗开始降低。

近日，电子创新网专访了一位在模拟射频领域连续创业的半导体老兵，他就是谷泰微创始人兼CEO石方敏，在本土IC的创新方面他有什么感悟，我们来听听他的分享。

DynamicVent通过系统DSP的传感器融合输入来开启或关闭，使开放式和封闭式的耳塞式耳机皆能发挥效应，单芯片设计将True MEMS扬声器和DynamicVent集成在单一硅芯片上

C_iss、C_rss和C_oss的电容特性是影响MOSFET开关特性的重要因素。

C_iss：输入电容（C_iss＝C_gd＋C_gs）

随着人们环保意识的增强，选择环境影响最小的产品和服务已经成为了常态。如何减轻产品生产过程中对环境的负荷也逐渐引起了公众的关注。“智能”工厂内配备了多种传感器以用来收集制造设施和设备上的各种数据，从而实现利用前沿数字技术提高生产效率。

使用生命周期评估（LCA）评估制造场所对环境的影响

集成运算放大器是采用一定制造工艺将大量半导体三级管、电阻、电容等元件以及它们之间的连线制作在同一小块单晶硅的芯片上，并具有一定功能的电子电路。

来自中国、日本、俄罗斯和澳大利亚的科学家组成的国际研究小组在最新一期《科学》杂志撰文指出，他们历时5年，使用一种插入电子显微镜的独特工具，制造出了一种超微型晶体管，其宽度仅为人类头发丝宽度的1/25000。

作者： 麦姆斯咨询王懿，来源：MEMS 

TDK集团（东京证券交易所代码：6762）推出新的HVC43 (B88269X3**0C011) 系列产品，扩展了其无极性直流高压接触器的产品范围。新产品的连续工作电流为150 A DC 到 250 A DC，最高工作电压可达1000 V DC，可选12 V或24 V线圈，功耗为6 W。