2025年第三代功率半导体产值将达47.1亿美元

据TrendForce集邦咨询研究推估,第三代功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元,至2025年将成长至47.1亿美元,年复合成长率达48%。

GaN 技术的过去和现在

本书提供了牢固的 GaN 基础知识。它着眼于技术和 GaN 实现的驱动因素,以帮助您了解普及 GaN 的益处。它还调查了目前各行各业使用 GaN 的成熟和前沿应用。

通过采用使用了硅材料的WLCSP,将MEMS谐振器内置到IC,能带来哪些优势?

通过采用使用了硅材料的WLCSP,使MEMS谐振器与相同材料的半导体IC芯片在安装时具有很高的兼容性,可以内置到IC中。这样的MEMS谐振器有哪些特点和优势呢?村田技术白皮书“超小的MEMS谐振器”给你答案

如何避免功率MOSFET发生寄生导通?

该文描述了引起功率MOSFET发生寄生导通的机制,并进一步指出为了避免寄生导通,在选取MOSFET时应遵循什么准则。

四种接近传感器PK,谁能胜出?

主流接近传感器技术有多种,每种技术都有非常不同的工作标准,在确定检测、距离或接近方面有着不同的优势。本文概要性介绍了紧凑、固定的嵌入式系统的四种可能方案及其基本工作原理,以帮助工程师根据自己的设计要求确定选择哪一种。

英飞凌推出EiceDRIVER™ F3增强型系列栅极驱动器

EiceDRIVER F3增强型系列栅极驱动器采用爬电距离为8mm的DSO 16 300 mil宽体封装。这款单路隔离栅极驱动器具有高达300 kV/us的超高共模瞬态抗扰度(CMTI),以及高达8.5 A的典型输出电流。

领跑5G 三菱电机发售“50Gbps DFB激光器”新品

50Gbps DFB激光器能够在宽工作温度范围(-40℃至+90℃)内实现高速运行(50Gbps),并确保了小型光收发器的规格兼容性。与以往25Gbps的产品相比,该产品传输速度可达到2倍

思特威重磅推出首颗基于22nm工艺制程50MP超高分辨率图像传感器新品

新品采用先进的22nm HKMG Stack工艺制程,搭载思特威SmartClarity®-2成像技术,以及SFCPixel®与PixGain HDR®专利技术,拥有出色的成像性能。

一种稳定固态锂离子电池界面的方法开启了新的可能性

在无休止地寻求在不增加电池重量或体积的情况下将更多能量装入电池的过程中,一种特别有前途的技术是固态电池。在这些电池中,通常在电极之间来回携带电荷的液体电解质被固体电解质层所取代

可穿戴设备,助力医疗保健行业高质量发展

在这里,我们将探讨可穿戴设备如何提供长期有效的解决方案,来为医护人员提供所需的患者基本数据。